[發明專利]一種無金屬線切口問題的金屬濕法蝕刻方法有效
| 申請號： | 201210162934.6 | 申請日： | 2012-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN103426750B | 公開（公告）日： | 2017-02-15 |
| 發明（設計）人： | 陳瑩瑩;曹秀亮 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3213 | 分類號： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙)31249 | 代理人： | 張靜潔,徐雯瓊 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬線 切口 問題 金屬 濕法 蝕刻 方法 | ||
1.一種無金屬線切口問題的金屬濕法蝕刻方法，其特征在于，該方法包含以下步驟：
步驟1、在硅襯底上依次濺鍍鈦金屬層、氮化鈦層和鋁金屬層，再在鋁金屬層的表面上濺鍍一層氮化鈦薄膜；
步驟2、采用光刻，在鋁金屬層上的整個氮化鈦薄膜的表面上涂覆光刻膠，再根據光刻掩膜版的設計進行顯影，在晶圓上需要制成金屬線的區域內保留光刻膠；
步驟3、對氮化鈦薄膜表面上涂覆的光刻膠進行紫外線硬化工藝處理；
步驟4、在未涂覆有光刻膠的區域內采用濕法蝕刻去除鋁金屬層和鋁金屬層表面上氮化鈦薄膜，從而在涂覆有光刻膠的區域內制成鍍有氮化鈦薄膜的金屬線；
步驟5、將鍍有氮化鈦薄膜的金屬線上所涂覆的光刻膠去除；
步驟6、清洗晶圓表面以及其上制成的鍍有氮化鈦薄膜的金屬線；
步驟7、將未制成金屬線區域內的鈦金屬層、氮化鈦層，以及金屬線上鍍有的氮化鈦薄膜采用濕法蝕刻去除，完成金屬線的制成；
步驟8、對晶圓進行后道處理；
步驟9、對晶圓進行蝕刻后檢查。
2.如權利要求1所述的一種無金屬線切口問題的金屬濕法蝕刻方法，其特征在于，所述的步驟5中，采用金屬濕法蝕刻后的灰化處理去除光刻膠。
3.如權利要求1所述的一種無金屬線切口問題的金屬濕法蝕刻方法，其特征在于，所述的步驟6中，在晶圓表面以及其晶圓表面制成的鍍有氮化鈦薄膜的金屬線上采用涂覆清洗溶劑及超聲波進行清洗。
4.如權利要求1所述的一種無金屬線切口問題的金屬濕法蝕刻方法，其特征在于，所述的步驟8中，對制成金屬線的晶圓進行55秒的后道制程的灰化處理。
5.如權利要求1所述的一種無金屬線切口問題的金屬濕法蝕刻方法，其特征在于，所述的步驟9中，晶圓的蝕刻后檢查采用全檢或抽樣檢查。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
