[發(fā)明專利]一種即時(shí)的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性檢測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210162915.3
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN103426783A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張孟;張凌越;王慧
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種即時(shí)的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性檢測方法，其特征在于，在晶圓上完成氧化物氮化物氧化物薄膜的生長工藝后即進(jìn)行本檢測方法；該檢測方法包含以下步驟：

步驟1、從晶圓加工腔中取出分別位于頂部、中部和底部的三片控制晶圓；

步驟2、分別對位于頂部、中部和底部的三片控制晶圓上生長的氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度進(jìn)行分析；

步驟3、通過氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度的分析結(jié)果，判斷氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性，若薄膜表面粗糙度小，則氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性好，并跳轉(zhuǎn)到步驟3.1，若薄膜表面粗糙度大，則氧化物氮化物氧化物薄膜可靠性差，并跳轉(zhuǎn)到步驟3.2；

步驟3.1、繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)的晶圓加工工藝；

步驟3.2、提前預(yù)警被檢測的控制晶圓所在批次晶圓的硅氧化氮氧化硅閃存產(chǎn)品的可靠性差，對該批次晶圓上生長的氧化物氮化物氧化物薄膜進(jìn)行補(bǔ)校。

2.如權(quán)利要求1所述的即時(shí)的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性檢測方法，其特征在于，所述步驟2中，采用原子力顯微鏡對控制晶圓的氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度進(jìn)行分析。

3.如權(quán)利要求1所述的即時(shí)的氧化物氮化物氧化物薄膜的可靠性檢測方法，其特征在于，所述步驟3中，重點(diǎn)分析由底部取出的控制晶圓上氧化物氮化物氧化物薄膜的薄膜表面粗糙度的分析結(jié)果。