[發明專利]微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備

有效

• 申請號: 201210162866.3
• 申請日: 2012-05-21
• 公開（公告）號: CN102689873A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 王宏志;張權;李耀剛;張青紅
• 申請（專利權）人: 東華大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;C01G9/02
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 黃志達;謝文凱

1.一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，包括：

（1）首先將微通道用酸洗液在60～80℃下浸泡10～30min，然后去離子水沖洗，接著用堿洗液在60～80℃下浸泡10～30min，再用去離子水沖洗，最后烘干，得到清洗后的微通道；

（2）配制濃度為0.5mM～50mM鋅鹽的醇溶液和2mM～0.2M堿的醇溶液，然后分別以10μL/min～100μL/min的速度同時將所述的兩種溶液推入清洗后的微通道內，待溶液充滿微通道后，停止輸送；然后于40～60℃保溫2～4h，再升溫至70～90℃保溫2～4h，最后升溫至130～200℃烘1～4h，即得生長有ZnO晶種的微通道；

（3）配制總濃度為0.01M～2M的鋅鹽與氟鹽的混合水溶液、濃度為0.01M～2M堿的水溶液，然后在70～90℃下分別以10μL/min～50μL/min的速度將所述的兩種溶液同時推入上述已生長有ZnO晶種的微通道內，連續通入0.5～3h后停止輸送溶液，再升溫至130～200℃烘1～4h；最后用去離子水清洗并在130～200℃下烘1～4h，即可得到微通道內表面上定向生長的F摻雜ZnO多孔薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（2）及步驟（3）中所述的鋅鹽為醋酸鋅、硝酸鋅、硫酸鋅或氯化鋅。

3.根據權利要求2所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述的鋅鹽為醋酸鋅，步驟（3）中所述的鋅鹽為硝酸鋅。

4.根據權利要求1所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（2）及步驟（3）中所述的醇為乙醇、甲醇或異丙醇。

5.根據權利要求1所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述的氟鹽為氟化銨、氟化鈉或氟化鉀。

6.根據權利要求1所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（2）及步驟（3）中所述的堿為堿金屬氫氧化物、水合肼、六亞甲基四胺或二乙烯三胺。

7.根據權利要求6所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述的堿為堿金屬氫氧化物，步驟（3）中所述的堿為六亞甲基四胺。

8.根據權利要求1所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（3）所述的鋅鹽與氟鹽混合水溶液中氟鹽與鋅鹽的摩爾比為1∶1～1∶10。

9.根據權利要求1所述的一種微通道內表面上定向生長F摻雜ZnO多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟（3）得到微通道內表面上定向生長的F摻雜ZnO多孔薄膜的厚度為0.5～50μm。