[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210162730.2
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號(hào): CN102800781B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金臺(tái)勛;蔡昇完;金容一;李承宰;張?zhí)┦?/a>;孫宗洛;金甫耕
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/46
• 分類號(hào): H01L33/46;H01L33/64
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng)

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：

透光基底，具有面向彼此的第一主表面和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分；

發(fā)光部分，設(shè)置在第一主表面上，并且包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及置于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的活性層；

第一電極和第二電極，第一電極電連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，第二電極電連接到第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及

后反射部分，包括設(shè)置在第二主表面上的反射金屬層以及置于透光基底和反射金屬層之間的透光介電層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，透光介電層包括具有不同折射率且交替堆疊的多個(gè)介電層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)介電層具有分布式布拉格反射器結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，透光介電層和反射金屬層具有全方位反射器結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，透光基底包括形成在透光基底的第一主表面上的不平坦部分。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，反射金屬層由選自于由鋁、銀、鎳、銠、鈀、銥、釕、鎂、鋅、鉑和金組成的組中的材料形成。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括平坦化層，當(dāng)透光介電層和反射金屬層的表面因與形成在透光基底上的不平坦部分的曲面共形而不平坦地形成時(shí)，平坦化層填充反射金屬層的不平坦表面。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，平坦化層由旋涂玻璃形成。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，透光介電層由導(dǎo)熱率高于透光基底的導(dǎo)熱率的材料形成。

10.一種發(fā)光設(shè)備，所述發(fā)光設(shè)備包括：

安裝基底；

半導(dǎo)體發(fā)光裝置，安裝在安裝基底上，并且當(dāng)向半導(dǎo)體發(fā)光裝置施加電信號(hào)時(shí)，半導(dǎo)體發(fā)光裝置發(fā)光；以及

粘合層，置于安裝基底和半導(dǎo)體發(fā)光裝置之間，

其中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：透光基底，具有面向彼此的第一主表面和第二主表面，第二主表面上形成有不平坦部分；發(fā)光部分，設(shè)置在第一主表面上，并且包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及置于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的活性層；第一電極和第二電極，第一電極電連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，第二電極電連接到第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；后反射部分，包括設(shè)置在第二主表面上的反射金屬層以及置于透光基底和反射金屬層之間的透光介電層。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光設(shè)備，其中，安裝基底為電路板。

12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光設(shè)備，其中，安裝基底為引線框架。

13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光設(shè)備，其中，粘合層由共晶合金和聚合物中的至少一種形成。

14.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，所述方法包括下述步驟：

準(zhǔn)備具有面向彼此的第一主表面和第二主表面的透光基底，并且在第一主表面上形成發(fā)光部分，其中，發(fā)光部分包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及置于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的活性層；

形成電連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一電極和電連接到第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二電極；

在透光基底的第二主表面上形成不平坦部分；以及

形成包括反射金屬層和透光介電層的后反射部分，其中，反射金屬層設(shè)置在透光基底的設(shè)置有所述不平坦部分的第二主表面上，透光介電層置于透光基底和反射金屬層之間。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括：在透光基底的第二主表面上形成不平坦部分之前，在發(fā)光部分的頂部上形成支撐發(fā)光部分的臨時(shí)基底。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，所述方法還包括：在形成后反射部分之后，使臨時(shí)基底與發(fā)光部分分開。

17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，透光介電層包括具有不同折射率且交替堆疊的多個(gè)介電層。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述多個(gè)介電層具有分布式布拉格反射器結(jié)構(gòu)。