[發明專利]基于人工電磁材料的太赫茲波非對稱傳輸器件

有效

• 申請號: 201210162632.9
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN102692732A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 史金輝;劉星辰;朱正;關春穎;王政平
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工程大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于人工電磁材料的太赫茲波非對稱傳輸器件，包括介質層和雙層人工電磁材料層；其特征在于：所述的介質層位于雙層人工電磁材料層之間，介質層是單晶硅或者有機高分子聚合物介質材料，厚度為微米量級；所述的雙層人工電磁材料層位于介質層兩側的表面，雙層人工電磁材料層均由周期性排列的人工電磁材料基本單元構成，其膜層厚度為200納米以上；所述人工電磁材料層的基本單元為一定寬度的直線型、L型或者連續U型的金屬結構。

2.根據權利要求1所述的基于人工電磁材料的太赫茲波非對稱傳輸器件，其特征是：所述金屬結構采用金材料。

3.根據權利要求1或2所述的基于人工電磁材料的太赫茲波非對稱傳輸器件，其特征是：雙層人工電磁材料層的基本單元的金屬結構形狀相同。

4.根據權利要求1或2所述的基于人工電磁材料的太赫茲波非對稱傳輸器件，其特征是：雙層人工電磁材料層的基本單元的金屬結構形狀不相同。

5.根據權利要求3所述的基于人工電磁材料的太赫茲波非對稱傳輸器件，其特征是：雙層人工電磁材料層的基本單元的金屬結構形狀均為連續U型，兩層中連續U型人工電磁材料基本單元結構尺寸相同，結構單元之間的旋轉角為90度。

6.根據權利要求4所述的基于人工電磁材料的太赫茲波非對稱傳輸器件，其特征是：雙層人工電磁材料層的基本單元的金屬結構形狀一層為直線型，另一層為L型，L形金屬薄膜的兩邊長不相等，L形金屬條與直線金屬條寬度相等。