[發明專利]一種基于自對準雙圖案的半導體制造方法有效
| 申請號： | 201210162459.2 | 申請日： | 2012-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN103426809A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 張海洋;張城龍 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 對準 圖案 半導體 制造 方法 | ||
1.一種基于自對準雙圖案的半導體制造方法，所述方法包括：
在半導體襯底上方形成的低k材料或超低k材料層上方形成含硅掩膜層；
在該含硅掩膜層上方形成不含氮的氧化物掩膜層；
在該不含氮的氧化物掩膜層上方形成金屬掩膜層；
在該金屬掩膜層上方形成氧化物掩膜層；
圖案化所述氧化物掩膜層；
在所述圖案化了的氧化物掩膜層和所述金屬掩膜層上沉積氮化物，然后對該氮化物進行蝕刻，以在所述氧化物掩膜層的側壁形成間隔壁；
進行一端切步驟，以去除所述氧化物掩膜層兩端的氮化物間隔壁；
沉積一氧化物，以填充所述氮化物間隔壁之間的空隙；
去除所述氮化物間隔壁。
2.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，所述金屬掩膜層選用TiN、BN或Cu3N材料。
3.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，圖案化所述氧化物掩膜層包括通過單光阻或三層圖案方法進行蝕刻的步驟。
4.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，所述端切步驟包括：在所述半導體襯底上沉積光阻層，圖案化所述光阻層以露出所述氧化物掩膜層兩端的氮化物間隔壁，采用干法刻蝕去除所述露出的氮化物間隔壁。
5.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，沉積所述氧化物的步驟之后還包括對所述氧化物進行一化學機械研磨以露出所述氮化物間隔壁的步驟。
6.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，去除所述氮化物間隔壁選用濕法或干法刻蝕。
7.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，所述含硅掩膜層為SiC層或SiN層。
8.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，所述氮化物為SiN。
9.根據權利要求1所述的基于自對準雙圖案的半導體制造方法，其特征在于，去除所述氮化物間隔壁之后還包括以所述氧化物為掩膜，干法蝕刻所述金屬掩膜層的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
