[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210162113.2
• 申請(qǐng)日: 2012-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102693918A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾偉豪;周奇緯;丁宏哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;王穎

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一柵極；

在該柵極上形成一絕緣層；

在該絕緣層上形成一通道層；

在該通道層上形成一第一材料層，該第一材料層包括一含氧的絕緣材料；

在該第一材料層上形成一第二材料層，該第二材料層包括一金屬材料；

在該第二材料層以及該第一材料層中形成多個(gè)接觸窗開(kāi)口，以暴露出該通道層；以及

在該第二材料層上形成一源極以及一漏極，該源極以及該漏極通過(guò)這些接觸窗開(kāi)口而與該通道層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中在形成該第一材料層之后，還包括進(jìn)行一含氧處理程序，以增加該第一材料層表面的含氧量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該含氧處理程序包括N₂O回火處理程序、O₂回火程序、O₂等離子處理程序或N₂O等離子處理程序。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中在形成這些接觸窗開(kāi)口之后，還包括進(jìn)行一回火程序，以使該第一材料層以及該第二材料層的界面產(chǎn)生一氧化反應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中在該氧化反應(yīng)之后，該第一材料層以及該第二材料層之間形成一金屬氧化薄層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該金屬氧化薄層的厚度為50至

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該源極以及該漏極的方法包括：

在該第二材料層上形成一導(dǎo)電層，且該導(dǎo)電層填入這些接觸窗開(kāi)口中；

在該導(dǎo)電層上形成一光阻層；以及

利用該光阻層作為蝕刻光罩以對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行一蝕刻程序以形成該源極以及該漏極，其中該蝕刻程序同時(shí)移除未被該光阻層覆蓋的該第二材料層，且該蝕刻程序終止于該金屬氧化薄層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該蝕刻程序包括使用一鋁酸蝕刻溶液、一草酸蝕刻溶液或一銅酸蝕刻溶液。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該回火程序包括一無(wú)氧回火程序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該回火程序包括氮?dú)饣鼗鸪绦颉⒒瘜W(xué)氣相沉積真空加熱處理程序、N₂O加熱處理程序或真空回火程序。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第一材料層包括氧化硅或氧化氮硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第二材料層包括鋁、鈦、鉿、鋯、鉭、鉻或銅。

13.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

一柵極；

一絕緣層，覆蓋該柵極；

一通道層，位于該柵極上方；

一源極以及一漏極，位于該通道層的上方；

一材料迭層，夾于該通道層以及該源極之間以及該通道層以及該漏極之間，其中該材料迭層包括彼此堆迭的一含氧的絕緣材料以及一金屬材料；以及

一材料層，覆蓋位于該源極以及該漏極之間的該通道層，其中該材料層包括該含氧的絕緣材料，

其中該材料迭層以及該材料層之間具有多個(gè)接觸窗開(kāi)口，該源極以及該漏極透過(guò)這些接觸窗開(kāi)口而與該通道層接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中該源極以及該漏極分別包括由下往上堆迭的一第一金屬層、一第二金屬層以及一第三金屬層，且該第一金屬層與該材料迭層的該金屬材料接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括一金屬氧化薄層，位于該材料層的表面以及該材料迭層的該含氧的絕緣材料以及該金屬材料之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中該金屬氧化薄層的厚度為50至

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中該通道層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。