[發(fā)明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210161673.6
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN102709290A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張博
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一阱區(qū)，以及與所述第一阱區(qū)隔離的第二阱區(qū)，且所述第一阱區(qū)和第二阱區(qū)均為第一導(dǎo)電類型；位于所述第一阱區(qū)表面的第一柵介質(zhì)層；位于所述第一柵介質(zhì)層表面的第一柵極；位于所述第一柵介質(zhì)層和第一柵極兩側(cè)的第一阱區(qū)內(nèi)的第一源/漏區(qū)，且所述第一源/漏區(qū)為第二導(dǎo)電類型；位于所述第二阱區(qū)表面的第二柵介質(zhì)層；位于所述第二柵介質(zhì)層表面的第二柵極；位于所述第二柵介質(zhì)層和第二柵極兩側(cè)的第二阱區(qū)內(nèi)的第二源/漏區(qū)，且所述第二源/漏區(qū)為第二導(dǎo)電類型；位于所述第一柵極與第二柵極之間的柵極連接層，所述柵極連接層使第一柵極與第二柵極電性連接，且所述柵極連接層通過第一絕緣層與半導(dǎo)體襯底表面電性隔離；位于所述第一柵極表面的層間介質(zhì)層；位于所述層間介質(zhì)層表面的金屬層；位于所述第一阱區(qū)表面的第一導(dǎo)電插塞使所述金屬層與第一阱區(qū)電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材料為氮化硅或高K材料。

3.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的電學(xué)厚度為300~500埃。

4.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，所述金屬層的材料為銅、鎢或鋁。

5.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，所述金屬層的厚度為1000~4000埃。

6.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，所述第一柵極、第二柵極和柵極連接層的材料為多晶硅。

7.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，位于所述第一柵極、第二柵極和柵極連接層內(nèi)的自對準(zhǔn)硅化物層，且所述自對準(zhǔn)硅化物層的表面與第一柵極、第二柵極和柵極連接層的表面齊平。

8.如權(quán)利要求7所述存儲器，其特征在于，所述自對準(zhǔn)硅化物層的材料為鈷化硅。

9.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，所述第一柵極與第一柵介質(zhì)層的接觸面積大于第二柵極與第二柵介質(zhì)層的接觸面積。

10.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，所述第一柵介質(zhì)層、第二柵介質(zhì)層的材料和第一絕緣層的材料為氧化硅。

11.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，覆蓋所述第一柵介質(zhì)層、第一柵極、第二柵介質(zhì)層、第二柵極、柵極連接層、層間介質(zhì)層、金屬層、第一導(dǎo)電插塞以及半導(dǎo)體襯底表面的第二絕緣層。

12.如權(quán)利要求11所述存儲器，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為氧化硅。

13.如權(quán)利要求1所述存儲器，其特征在于，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的浮置阱區(qū)，第一阱區(qū)和第二阱區(qū)位于所述浮置阱區(qū)內(nèi)，且所述浮置阱區(qū)為第二導(dǎo)電類型。

14.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一阱區(qū)，以及與所述第一阱區(qū)隔離的第二阱區(qū)，且所述第一阱區(qū)和第二阱區(qū)均為第一導(dǎo)電類型；

在所述第一阱區(qū)表面形成第一柵介質(zhì)層；

在所述第二阱區(qū)表面形成第二柵介質(zhì)層；

在所述第一柵介質(zhì)層和第二柵介質(zhì)層之間的半導(dǎo)體襯底表面形成第一絕緣層；

在所述第一柵介質(zhì)層表面形成第一柵極；

在所述第二柵介質(zhì)層表面形成第二柵極；

在所述第一絕緣層表面形成柵極連接層，使所述第一柵極與第二柵極電性連接，且所述第一絕緣層使所述柵極連接層與半導(dǎo)體襯底電性隔離；

在所述第一柵介質(zhì)層和第一柵極兩側(cè)形成第一阱區(qū)內(nèi)的第一源/漏區(qū)，且所述第一源/漏區(qū)為第二導(dǎo)電類型；

在所述第二柵介質(zhì)層和第二柵極兩側(cè)的第二阱區(qū)內(nèi)形成第二源/漏區(qū)，且所述第二源/漏區(qū)為第二導(dǎo)電類型；

在所述第一柵極表面形成層間介質(zhì)層；

在所述層間介質(zhì)層表面形成金屬層；

在所述第一柵介質(zhì)層、第一柵極、第二柵介質(zhì)層、第二柵極、柵極連接層、層間介質(zhì)層、金屬層以及半導(dǎo)體襯底表面形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層內(nèi)形成第一導(dǎo)電插塞，使所述金屬層通過第一導(dǎo)電插塞與第一阱區(qū)電性連接。

15.如權(quán)利要求14所述存儲器的形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材料為氮化硅或高K材料。

16.如權(quán)利要求14所述存儲器的形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的電學(xué)厚度為300~500埃。