[發(fā)明專利]用于測(cè)量環(huán)境力的器件及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210161647.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102795590A | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | S.K.加米奇;N.V.曼特拉瓦迪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號(hào): | B81B7/00 | 分類號(hào): | B81B7/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯廣華;朱海煜 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 測(cè)量 環(huán)境 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種器件,包括:
包括器件晶圓(50)的第一器件層(100)的一部分的凸耳(550),所述器件晶圓(50)包括所述第一器件層(100)和第二器件層(200),所述第一器件層(100)通過第一絕緣層(150)與所述第二器件層(200)分隔;
位于襯底晶圓(600)的頂面上的隔膜空腔(650),所述襯底晶圓(600)的所述頂面接合到所述第一器件層(100)的頂面,以在所述隔膜空腔(650)上形成隔膜(500),所述隔膜(500)包括所述第二器件層(200)的一部分,并且所述凸耳(550)從所述隔膜(500)延伸;以及
位于所述第二器件層(200)中的感測(cè)元件(850),以感測(cè)所述隔膜(500)中的撓曲。
2.如權(quán)利要求1所述的器件,還包括:
位于所述第二器件層(200)中的互連(825),所述互連(825)與所述感測(cè)元件(850)電通信;以及
金屬化層(800),所述金屬化層(800)提供所述器件的外表面與所述互連(825)之間的電通信。
3.如權(quán)利要求1所述的器件,其中,所述感測(cè)元件(850)包括壓阻感測(cè)元件(850)。
4.如權(quán)利要求1所述的器件,其中,所述襯底晶圓(600)包括雙面拋光晶圓。
5.如權(quán)利要求1所述的器件,其中,所述襯底晶圓(600)包括絕緣體上硅晶圓的器件層。
6.如權(quán)利要求1所述的器件,其中,所述器件測(cè)量絕對(duì)壓力。
7.如權(quán)利要求1所述的器件,其中,所述隔膜空腔(650)完全貫穿所述襯底晶圓(600)。
8.如權(quán)利要求7所述的器件,其中,所述器件測(cè)量差壓。
9.如權(quán)利要求1所述的器件,其中,所述器件測(cè)量低壓。
10.如權(quán)利要求1所述的器件,其中,選擇所述襯底晶圓(600)的厚度以最小化傳導(dǎo)到所述隔膜(500)的封裝應(yīng)力。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于通用電氣公司,未經(jīng)通用電氣公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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