[發(fā)明專利]非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210161364.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102677011A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 文曉斌;欒亞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 文曉斌 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/52 |
| 代理公司: | 北京聯(lián)創(chuàng)佳為專利事務(wù)所(普通合伙) 11362 | 代理人: | 郭防 |
| 地址: | 518104 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 平衡 閉合 磁控濺射 離子鍍 設(shè)備 | ||
1.一種非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,包括真空腔(1)和控制柜(3),其特征在于:真空腔(1)下方設(shè)有真空控制柜(2),控制柜(3)上設(shè)有手動(dòng)操作界面(4)和全自動(dòng)操作界面(5),真空腔(1)上設(shè)有側(cè)開式爐門(23),真空控制柜(2)后方設(shè)有氬氣瓶(8)和氮?dú)馄浚?),真空控制柜(2)后面設(shè)有氣體壓力表(10),還內(nèi)設(shè)有氣體流量反饋系統(tǒng)(16)與氣體壓力表(10)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:真空控制柜(2)上設(shè)有惰性氣體流量計(jì)(11)和單色儀(6),真空腔(1)上方設(shè)有真空計(jì)(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:手動(dòng)操作界面(4)上設(shè)有真空議(12)、氣體流量控制器(13)、反映氣體控制器(14)、手動(dòng)與自動(dòng)切換開關(guān)(15)和偏壓檢測(cè)器(16)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:氣體流量反饋系統(tǒng)(17)包括光譜儀(18)、分光計(jì)(19)和光譜監(jiān)視器(20),光譜儀(18)設(shè)于真空腔(1)內(nèi),光譜儀(18)與分光計(jì)(19)相連,分光計(jì)(19)與光譜監(jiān)視器(20)相連,光譜監(jiān)視器(20)與氣體流量控制器(13)相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:真空腔(1)內(nèi)真空度為10-1Pa~10-2Pa。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:側(cè)開式爐門(21)外設(shè)有圓盤把手(22)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:圓盤把手上(22)上設(shè)有鎖緊把(23)和觀察窗(24)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:真空腔(1)內(nèi)設(shè)有支撐平臺(tái)(27),支撐平臺(tái)上方設(shè)有工作架(28),支撐平臺(tái)(27)下方設(shè)有滑動(dòng)軌道臺(tái)(25),滑動(dòng)導(dǎo)軌臺(tái)(25)下方設(shè)有加熱管(26)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:側(cè)開式爐門(23)處設(shè)有靶材(32),靶材(32)上設(shè)有銷釘(29)、靶材把手(30)和冷卻水管(31)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述非平衡閉合場磁控濺射離子鍍?cè)O(shè)備,其特征在于:真空控制柜(2)包括擴(kuò)散泵、羅茨泵和機(jī)械泵。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





