[發明專利]復合襯底、其制造方法與發光組件

在審

• 申請號: 201210161260.8
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN103219434A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 陳敏璋;林明志;徐文慶
• 申請（專利權）人: 陳敏璋;昆山中辰矽晶有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種復合襯底的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

提供一襯底；

交替地提供一含第三族元素前驅物與一含氮前驅物于該襯底上，以原子層沉積工藝及等離子體增強型原子層沉積工藝的其中之一在該襯底上形成一氮化物緩沖層；以及

對該氮化物緩沖層執行一退火步驟。

2.如權利要求1所述復合襯底的制造方法，其特征在于，該襯底系為藍寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、氧化鋅襯底、砷化鎵襯底、鋁鎂酸鈧襯底、氧化銅鍶襯底、鎵酸鋰襯底、偏鋁酸鋰襯底、氧化釔穩定氧化鋯襯底或玻璃襯底，在形成氮化物緩沖層的步驟中，系將該襯底加熱至200℃至500℃的范圍。

3.如權利要求1所述復合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一含第三族元素前驅物與一含氮前驅物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅物系為仲丁醇鋁、溴化鋁、氯化鋁、乙醇二乙基鋁、三（乙基甲基氨基）鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁、三（二乙基氨基）鋁或三（二甲基氨基）鋁，該氮前驅物系為氨氣、氨氣等離子體或氮氣與氫氣等離子體。

4.如權利要求1所述復合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一含第三族元素前驅物與一含氮前驅物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅物系為三甲基鎵、?三乙基鎵、三溴化鎵、三氯化鎵、三異丙基鎵或三（二甲基酰氨基）鎵，該氮前驅物系為氨氣、氨氣等離子體或氮氣與氫氣等離子體。

5.如權利要求1所述復合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一含第三族元素前驅物與一含氮前驅物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅物系為三甲基銦、乙酰丙酮銦、氯化亞銦、醋酸銦水合物、氯化銦或醋酸銦，該氮前驅物系為氨氣、氨氣等離子體或氮氣與氫氣等離子體。

6.如權利要求1所述復合襯底的制造方法，其特征在于，該退火步驟系在溫度300℃至1600℃的范圍下對該氮化物緩沖層所執行。

7.如權利要求1所述復合襯底的制造方法，其特征在于，該退火步驟系在溫度400℃至1200℃的范圍下對該氮化物緩沖層所執行。

8.如權利要求3、4或5所述復合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一第三族元素前驅物與一氮前驅物于該襯底上的步驟中，通入氨氣的流量系為15至45標況毫升每分。

9.如權利要求8所述復合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一第三族元素前驅物與一氮前驅物于該襯底上的步驟中，進一步包括通入氫氣，而通入氫氣的流量系為大于0、小于10標況毫升每分。

10.如權利要求8所述復合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一第三族元素前驅物與一氮前驅物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅物的曝氣時間系介于0.03至0.25秒之間。

11.一種復合襯底，其包括：

一襯底及一沉積于該襯底的一表面上的氮化物緩沖層，其特征在于，氮化物緩沖層系以原子層沉積工藝及等離子體增強型原子層沉積工藝的其中之一所形成。

12.如權利要求11所述復合襯底，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化鋁層，其系交替地提供一含第三族元素前驅物與一含氮前驅物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅物系為仲丁醇鋁、溴化鋁、氯化鋁、乙醇二乙基鋁、三（乙基甲基氨基）鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁、三（二乙基氨基）鋁或三（二甲基氨基）鋁，該氮前驅物系為氨氣、氨氣等離子體或氮氣與氫氣等離子體。

13.如權利要求11所述復合襯底，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化鎵層，其系交替地提供一含第三族元素前驅物與一含氮前驅物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅物系為三甲基鎵、?三乙基鎵、三溴化鎵、三氯化鎵、三異丙基鎵或三（二甲基酰氨基）鎵，該氮前驅物系為氨氣、氨氣等離子體或氮氣與氫氣等離子體。

14.如權利要求11所述復合襯底，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化銦層，其系交替地提供一含第三族元素前驅物與一含氮前驅物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅物系為三甲基銦、乙酰丙酮銦、氯化亞銦、醋酸銦水合物、氯化銦或醋酸銦，該氮前驅物系為氨氣、氨氣等離子體或氮氣與氫氣等離子體。