[發明專利]非自我對準的非揮發性存儲器結構

無效

• 申請號: 201210161164.3
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN103426885A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 林信章;黃文謙;范雅婷
• 申請（專利權）人: 億而得微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/792
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;李涵

1.一種非自我對準的非揮發性存儲器結構，其特征在于，其包含有：

一半導體基底；

一左浮動柵極存儲器晶胞與一右浮動柵極存儲器晶胞，其形成于該半導體基底上，該左浮動柵極存儲器晶胞的漏極與該右浮動柵極存儲器晶胞的漏極分別接到不同電壓準位；

一控制柵極，其位于該左浮動柵極存儲器晶胞與該右浮動柵極存儲器晶胞上，且該控制柵極涵蓋該左浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極與該右浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極，以同時控制該左浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極與該右浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極；以及

一柵極絕緣層，其是位于該左浮動柵極存儲器晶胞、該右浮動柵極存儲器晶胞與該控制柵極之間。

2.根據權利要求1所述非自我對準的非揮發性存儲器結構，其特征在于，該控制柵極非位于該左浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極與該右浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極上方的部分的左右邊界是各大于或等于該左浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極與該右浮動柵極存儲器晶胞的浮動柵極的外側邊界。

3.根據權利要求1所述的非自我對準的非揮發性存儲器結構，其特征在于，該柵極絕緣層的材質為四乙氧基硅烷氧化層。

4.根據權利要求1所述的非自我對準的非揮發性存儲器結構，其特征在于，該控制柵極的材質為多晶硅。

5.根據權利要求1所述的非自我對準的非揮發性存儲器結構，其特征在于，該半導體基板中更包括一井型區，且該左浮動柵極存儲器晶胞與該右浮動柵極存儲器晶胞是位于該井型區。

6.根據權利要求1所述的非自我對準的非揮發性存儲器結構，其特征在于，該左浮動柵極存儲器晶胞與該右浮動柵極存儲器晶胞各包含有：

一浮動柵極絕緣層，其是位于該半導體基板上；

一浮動柵極，其是位于該浮動柵極絕緣層上；以及

一漏極與一源極，其是位于該半導體基板中，且分別位于該浮動柵極絕緣層的二側，并與該浮動柵極絕緣層鄰接。

7.根據權利要求1或6所述的非自我對準的非揮發性存儲器結構，其特征在于，該右浮動柵極存儲器晶胞與該左浮動柵極存儲器晶胞的源極是共用的。