[發明專利]電位調控離心法回收單晶和多晶硅切割廢料中硅粉的方法無效
| 申請號： | 201210161112.6 | 申請日： | 2012-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN102659112A | 公開（公告）日： | 2012-09-12 |
| 發明（設計）人： | 朱鴻民;劉蘇寧;黃凱 | 申請（專利權）人： | 北京科技大學 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037;C01B31/36 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100088*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電位 調控 離心 回收 多晶 切割 廢料 中硅粉 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種電位調控離心法回收單晶和多晶硅切割廢料中硅粉的方法，其特征
在于，它包括以下步驟：
切割廢料預處理
在單晶硅和多晶硅切割廢料中加入水，并加入少量酸，攪拌3～4小時后，進行過濾，烘干并研磨分散硅和碳化硅的混合粉末；
（2）調控混合粉末的表面電位
將硅和碳化硅的混合粉末按照一定的液固比3～10：1加入水，并加酸或堿調節pH值為6～9，攪拌均勻；
（3）離心分離過程
將混合液體離心若干次后，得到上下分層的樣品并將上層富硅相懸液和下層富碳化硅的沉積物分別取出；
（4）調整富硅相的表面電位以快速回收硅粉
離心后得到的上層懸浮液為富硅相，加入稀酸調節pH值至1～3，硅粒子團聚成較大顆粒而迅速沉降，過濾烘干后得到硅粉。
2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟（3）中離心次數為3～5次，下層的富碳化硅的沉積物重返步驟（1）循環使用。
3.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟（1）-（4）均在常溫下進行。
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