[發明專利]用于生成可調帶隙參考電壓的方法和設備

有效

• 申請號: 201210160927.2
• 申請日: 2012-05-16
• 公開（公告）號: CN102789254A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: J·弗特;T·索德
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種用于生成可調帶隙參考電壓的方法，包括：生成與絕對溫度成正比的電流(Iptat)，包括均衡在芯(CR)的端子(BE1，BE2)兩端的電壓，所述芯(CR)被設計成然后由所述與絕對溫度成正比的電流穿越；生成與絕對溫度成反比的電流(Ictat)；將這兩個電流求和；以及基于所述電流之和生成所述帶隙參考電壓(VBG)，其特征在于，所述均衡包括：在所述芯(CR)的所述端子兩端連接第一反饋放大器(AMP1)，所述第一反饋放大器擁有至少一個第一級(ET1)，所述第一級布置為折疊設置并且包括根據共同柵極設置而布置的第一PMOS晶體管；以及基于所述與絕對溫度成反比的電流(Ictat)偏置所述第一級，所述兩個電流的所述求和在所述第一放大器的反饋級(ETR)中執行。

2.根據權利要求1所述的方法，其中通過使用第二反饋放大器(AMP2)來生成所述與絕對溫度成反比的電流(Ictat)，所述第二反饋放大器擁有至少一個第一級(ET10)，所述第一級具有與所述第一放大器的所述第一級(ET10)共同的部分，并且所述第二放大器的所述第一級也基于所述與絕對溫度成反比的電流來偏置。

3.根據權利要求2所述的方法，其中用所述與絕對溫度成反比的電流或者用這一與絕對溫度成反比的電流的一部分偏置所述第一放大器的所述第一級(ET1)和所述第二放大器的所述第一級(ET10)。

4.一種用于生成可調帶隙參考電壓的設備，包括：第一裝置，用于生成與絕對溫度成正比的電流，包括第一處理裝置，所述第一處理裝置連接到芯(CR)的端子并且設計成均衡在所述芯的所述端子兩端的電壓；第二裝置，用于生成與絕對溫度成反比的電流(Ictat)，連接到所述芯；以及輸出模塊(MDS)，設計成生成所述參考電壓(VBG)，其特征在于，所述第一處理裝置包括第一放大器(AMP1)和反饋級(ETR)，所述第一放大器擁有至少一個第一級(ET1)，所述第一級基于所述與絕對溫度成反比的電流來偏置、根據折疊設置來布置并且包括根據共同柵極設置而布置的第一PMOS晶體管(M3，M4)，所述反饋級的輸入連接到所述放大器的輸出而所述反饋級的輸出連接到所述第一級的輸入以及所述芯的至少一個端子(BE1，BE2)，所述反饋級將由中間電流穿越，所述中間電流等于所述與絕對溫度成正比的電流(Iptat)與所述與絕對溫度成反比的電流(Ictat)之和，并且所述輸出模塊(MDS)連接到所述反饋級。

5.根據權利要求4所述的設備，其中所述第一放大器(AMP1)為差動輸入單輸出放大器，并且所述反饋級(ETR)為單輸入差動輸出反饋級。

6.根據權利要求4或者5所述的設備，其中所述第二生成裝置包括連接到所述芯的端子(BE2)的跟隨放大器設置(AMP2，M9)。

7.根據權利要求6所述的設備，其中所述跟隨放大器設置包括第二放大器(AMP2)和反饋晶體管(M9)，所述第二放大器擁有至少一個第一級(ET10)，所述第一級也基于所述與絕對溫度成反比的電流來偏置、包括根據共同柵極設置而布置的第二PMOS晶體管(M4，M5)，所述第二放大器的所述第一級(ET10)具有與所述第一放大器的所述第一級(ET1)共同的部分，所述反饋晶體管連接于所述第二放大器(AMP2)的輸出與所述第二放大器的輸入之間。

8.根據權利要求7所述的設備，其中偏置回路(BPL)連接于所述第二生成裝置與所述第一放大器(AMP1)和所述第二放大器(AMP2)的相應第一級(ET1，ET10)之間并且設計成基于所述與絕對溫度成反比的電流(Ictat)偏置這些第一級(ET1，ET10)中的每級。