[發明專利]一種磁屏蔽系統以及提高原子頻標磁屏蔽性能的方法

有效

• 申請號: 201210160803.4
• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN103429062A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 戴家瑜;張勇;裴雨賢;林傳富
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海天文臺
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H03L7/26
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 鄧琪

1.一種磁屏蔽系統，包括：

原子儲存泡；

容置所述原子儲存泡的由微波腔上蓋、微波腔筒和微波腔下蓋首尾相連圍成的微波腔；

圍繞所述微波腔的外壁設置的工作磁場線圈；其特征在于，該磁屏蔽系統還包括：由內向外以嵌套式結構彼此間隔開設置的經過真空高溫熱處理的第一磁屏蔽層、第二磁屏蔽層和第三磁屏蔽層；其中，所述第一磁屏蔽層位于所述工作磁場線圈和所述第二磁屏蔽層之間。

2.如權利要求1所述的磁屏蔽系統，其特征在于，該磁屏蔽系統還包括設置在所述第二磁屏蔽層和第三磁屏蔽層之間的真空鐘罩，以及設置在所述鐘罩的底板下方的真空泵，所述微波腔通過連接支撐件固定在所述真空鐘罩的鐘罩的底板上。

3.如權利要求1所述的磁屏蔽系統，其特征在于，所述第一磁屏蔽層的圓柱形側面的壁厚為1mm，所述第二磁屏蔽層和第三磁屏蔽層的圓柱形側面的壁厚分別為0.6mm。

4.如權利要求1所述的磁屏蔽系統，其特征在于，各所述磁屏蔽層的頂部與底部端面分別呈平面或凸錐面。

5.如權利要求1所述的磁屏蔽系統，其特征在于，各所述磁屏蔽層的頂部與底部端面的壁厚分別各加厚一倍。

6.一種提高原子頻標磁屏蔽性能的方法，包括：

提供原子儲存泡；

將所述原子儲存泡容置于微波腔中，該微波腔包括微波腔上蓋、微波腔筒和微波腔下蓋；

圍繞所述微波腔的外壁設置工作磁場線圈；其特征在于，該方法進一步包括：

由內向外以嵌套式結構彼此間隔開地設置經過真空高溫熱處理的第一磁屏蔽層、第二磁屏蔽層和第三磁屏蔽層；

其中，所述第一磁屏蔽層位于所述工作磁場線圈和所述第二磁屏蔽層之間。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述真空高溫熱處理是在保持真空環境的高溫爐內對所述第一磁屏蔽層、第二磁屏蔽層和第三磁屏蔽層進行高溫熱處理。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述高溫爐內的真空度始終滿足P≤10^-3Pa。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述真空高溫熱處理包括將所述第一磁屏蔽層、第二磁屏蔽層和第三磁屏蔽層加熱到高溫峰值1200℃。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述真空高溫熱處理還包括在到達所述高溫峰值時進行保溫操作，保溫時間t≥8小時。

11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述真空高溫熱處理還包括采用耐高溫陶瓷片將所述第一磁屏蔽層、第二磁屏蔽層和第三磁屏蔽層隔離。

12.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述原子頻標是氫原子頻標。