[發明專利]主動元件陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201210160762.9
• 申請日: 2012-05-16
• 公開（公告）號: CN102832226A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 葉家宏;呂思慧;林武雄;丘兆仟;李明賢;彭佳添;黃偉明
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/28
• 分類號: H01L27/28;G09F9/37;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種主動元件陣列基板，其特征在于，包含：

一軟質基板，該軟質基板上定義有至少一晶體管區與至少一透光區，該晶體管區與該透光區相毗鄰；

一柵極，位于該晶體管區的該軟質基板上；

一介電層，覆蓋該柵極與該軟質基板，位于該柵極上方的部分該介電層具有一第一厚度，位于該透光區的該軟質基板上的部分該介電層具有一第二厚度，其中該第二厚度小于該第一厚度；

一通道層、一源極與一漏極，位于該晶體管區的該介電層上，該通道層位于該柵極的上方，該源極與該漏極位于該通道層兩側且分別電性連接該通道層；以及

一像素電極，位于該透光區的該介電層上，該像素電極電性連接該漏極。

2.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該軟質基板的材質包含塑料。

3.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該軟質基板的材質包含聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚2，6-萘二酸乙二醇酯或上述的任意組合。

4.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該介電層的材質包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意組合。

5.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，更包含至少一儲存電容，該儲存電容位于該軟質基板上，該儲存電容包含一下電極、一電容介電層與一上電極。

6.根據權利要求5所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該電容介電層為該介電層的一部分。

7.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，更包含至少一連接墊，該連接墊位于該軟質基板上，該連接墊包含一下層連接墊與一上層連接墊。

8.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，通道層的材質包含非晶硅、復晶硅、氧化物半導體或上述的任意組合。

9.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，更包含一保護層覆蓋該通道層、該源極與該漏極。

10.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該像素電極的材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或上述的任意組合。

11.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，更包含一金屬氧化物介電層，該金屬氧化物介電層位于該軟質基板及該介電層之間。

12.根據權利要求11所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該金屬氧化物介電層更位于該軟質基板及該柵極之間。

13.根據權利要求11所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該金屬氧化物介電層更位于該介電層及該柵極之間。

14.根據權利要求11所述的主動元件陣列基板，其特征在于，該金屬氧化物介電層的材質包含銦氧化物、鋅氧化物、鎵氧化物或上述的任意組合。

15.一種主動元件陣列基板的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

提供一軟質基板，該軟質基板上定義有至少一晶體管區與至少一透光區；

于該軟質基板的該晶體管區上形成一柵極；

依序形成一介電層與一半導體層，該介電層與該半導體層覆蓋該柵極與該軟質基板；

去除部分該半導體層，以于該柵極上方形成一通道層，并一并去除位于該透光區的該介電層的部份厚度，使位于該柵極上方的部分該介電層具有一第一厚度，位于該透光區的該軟質基板上的部分該介電層具有一第二厚度，其中該第二厚度小于該第一厚度；

于該通道層的兩側分別形成一源極與一漏極，且分別電性連接該通道層；

形成一保護層，該保護層覆蓋該通道層、該源極、該漏極與該介電層；

于該保護層中形成一晶體管接觸孔，以分別暴露出該漏極，并同時去除位于該透光區的該保護層，以暴露出位于該透光區的該介電層；以及

在位于該透光區的該介電層上形成一像素電極，該像素電極透過該晶體管接觸孔電性連接該漏極。

16.根據權利要求15所述的主動元件陣列基板的制造方法，其特征在于，該軟質基板的材質包含塑料。

17.根據權利要求15所述的主動元件陣列基板的制造方法，其特征在于，該軟質基板的材質包含聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚2，6-萘二酸乙二醇酯或上述的任意組合。