[發明專利]單面端電極陶瓷電容

無效

• 申請號: 201210160443.8
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN102683009A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 吳旻修;許家銘;羅立偉
• 申請（專利權）人: 蘇州達方電子有限公司;達方電子股份有限公司
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/228;H01G4/232;H01G4/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明要求對2012年01月18日提交的中國申請號為201210014221.5的申請案具有優先權。

技術領域

本發明關于一種單面端電極陶瓷電容及其復合堆棧組，尤其關于一種兩個端電極均位于同一面上的陶瓷電容，以及使用多個陶瓷電容形成的復合堆棧組。

背景技術

圖1為習知的陶瓷電容。陶瓷電容10位于電路板20上，并具有兩個端電極，分別為端電極30和端電極40。當陶瓷電容10利用焊錫50焊接于電路板20上時，端電極30和端電極40外側的焊錫50各自還多占據了一部分空間，至少占了陶瓷電容10長度的30％，造成電路板20有效空間的浪費，于是需要一種新式的陶瓷電容，以解決上述問題。

發明內容

針對上述問題，本發明提供一種陶瓷電容，包含：第一面、第一金屬層、第二金屬層、第一陶瓷介電層、第一導電墊及第二導電墊；第一金屬層包含第一端電極；第二金屬層包含第二端電極，其中該第一端電極以及該第二端電極皆暴露于該第一面上；第一陶瓷介電層，其位于該第一金屬層與該第二金屬層之間；第一導電墊，位于該第一面上并電性連接該第一端電極，其中該第一金屬層與該第一導電墊彼此垂直；第二導電墊，位于該第一面上且與該第一導電墊相隔一定距離，并電性連接該第二端電極，其中該第二金屬層與該第二導電墊彼此垂直；其中該第一導電墊與該第二導電墊分別由雙層金屬所組成，該雙層金屬包含化學鍍內層以及電鍍外層。

根據上述的陶瓷電容，該第一金屬層與該第二金屬層皆為L形，且以交錯方式排列。

根據上述的陶瓷電容，其更包含第三金屬層及第二陶瓷介電層；第三金屬層包含暴露于該第一面的第三端電極，且該第三端電極電性連接該第一導電墊；第二陶瓷介電層位于該第三金屬層與該第二金屬層之間。

根據上述的陶瓷電容，該化學鍍內層的材質為鎳，該電鍍外層的材質為錫。

根據上述的陶瓷電容，該第一金屬層及該第二金屬層為∫形。

本發明另提供一種單面式陶瓷電容，包含第一面、第一金屬層、第二金屬層、第一陶瓷介電層、第一貫通道、第二貫通道、第一導電墊及第二導電墊；其中，第一金屬層與該第一面平行；第二金屬層，其與該第一金屬層平行；第一陶瓷介電層，其夾置于該第一金屬層與該第二金屬層之間；第一貫通道，與該第一金屬層電性連接且貫穿該第一陶瓷介電層，并部分暴露于該第一面上；第二貫通道，與該第一貫通道平行并電性連接該第二金屬層，又部分暴露于該第一面上；第一導電墊，位于該第一面上并電性連接該第一貫通道，其中該第一貫通道與該第一導電墊彼此垂直；第二導電墊，位于該第一面上且與該第一導電墊相隔一定距離，并電性連接該第二貫通道，其中該第二貫通道與該第二導電墊彼此垂直。

根據上述的單面式陶瓷電容，該第一金屬層與該第二貫通道電性絕緣，且該第二金屬層與該第一貫通道電性絕緣。

根據上述的單面式陶瓷電容，其更包含第三金屬層及第二陶瓷介電層；第三金屬層，與該第二金屬層平行，并電性連接該第一貫通道又被該第一貫通道所貫穿，并與該第二貫通道電性絕緣；第二陶瓷介電層，其夾置于該第三金屬層與該第二金屬層之間，并為該第二貫通道所貫穿。

根據上述的單面式陶瓷電容，該第一導電墊與該第二導電墊分別由雙層金屬所組成，該雙層金屬包含化學鍍內層以及電鍍外層。

根據上述的單面式陶瓷電容，該化學鍍內層的材質為鎳，該電鍍外層的材質為錫。

本發明陶瓷電容的導電墊位置的新穎設計，可以占據較小的電路板空間。另外，本發明在陶瓷電容的兩相對面均設置有導電墊，該結構可提供向上電性連接的可能性，十分適合解決現今電路體積縮小的要求。

附圖說明

圖1為一種傳統的陶瓷電容。

圖2為本發明陶瓷電容的一示意圖。

圖3為本發明陶瓷電容的組件爆炸圖。

圖4為本發明陶瓷電容的一實施方式。

圖5為本發明的陶瓷電容用于表面黏著技術中。

圖6為本發明單面式端電極陶瓷電容的示意圖。

圖7為本發明陶瓷電容的另一示意圖。

圖8為圖7所示的陶瓷電容的組件爆炸圖。

圖9A為圖7所示的陶瓷電容的又一實施方式。

圖9B為圖7所示的陶瓷電容的再一實施方式。

圖10為圖7所示的陶瓷電容用于表面黏著技術中。

圖11為本發明陶瓷電容中的導電墊由雙層金屬所組成。

具體實施方式