[發明專利]沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置無效
| 申請號： | 201210160259.3 | 申請日： | 2012-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN103424414A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 劉昌嶺;胡高偉;程軍;業渝光;張劍 | 申請（專利權）人： | 青島海洋地質研究所 |
| 主分類號： | G01N23/04 | 分類號： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 青島發思特專利商標代理有限公司 37212 | 代理人： | 鞏同海 |
| 地址： | 266071 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 沉積物 水合物 微觀 狀態 ct 原位 探測 裝置 | ||
1.一種沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，包括壓力控制系統、半導體控溫系統、高壓釜、X-CT掃描系統，壓力控制系統與高壓釜連通，半導體控溫系統設置在高壓釜底端，X-CT掃描系統設置在高壓釜的兩側。
2.根據權利要求1所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，壓力控制系統包括氣瓶（1）、閥門（2）、增壓設備（3）、管路（16），氣瓶（1）依次通過閥門（2）、增壓設備（3）、管路（16）與高壓釜連通。
3.根據權利要求1所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，管路（16）上設有壓力傳感器（4），壓力傳感器（4）連接數據采集器（15）。
4.根據權利要求1所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，半導體控溫系統包括溫度傳感器（11）、半導體制冷塊（13）、控溫裝置（14），溫度傳感器（11）、半導體制冷塊（13）設置在高壓釜內并分別與控溫裝置（14）連接，半導體制冷塊（13）的兩側設有散熱片（17）。
5.根據權利要求4所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，散熱片（17）上連接風扇（12）。
6.根據權利要求2所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，高壓釜包括釜體（18），釜體（18）頂端設有釜蓋（6），管路（16）穿過釜蓋（6）后與釜體（18）連通。
7.根據權利要求6所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，釜體（18）的外側包裹真空隔熱層（7）。
8.根據權利要求6所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，釜蓋（6）上設有O形密封圈（5）。
9.根據權利要求1所述的沉積物中水合物微觀賦存狀態的CT原位探測裝置，其特征在于，X-CT掃描系統包括X射線源（10）、平板探測器（8），X射線源（10）、平板探測器（8）分別位于高壓釜的兩側。
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