[發明專利]縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法有效
| 申請號： | 201210160213.1 | 申請日： | 2012-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN103422169A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 歐陽曉平;劉芳;劉金良;劉洋;蘇春磊;陳亮;張忠兵;趙曉川;程曉磊;張子 | 申請（專利權）人： | 西北核技術研究所 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710024 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 縮短 csi na 晶體 射線 激發 發光 衰減 時間 方法 | ||
1.一種縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：包括以下步驟：
1】制備CsI(Na)晶體；
2】利用高能球磨機或者高速氣流粉碎機配置微米粒度分級機將CsI(Na)晶體制備成微米粒度的粉末；
3】用微米粒度的CsI(Na)晶體粉末制備探測器，進行快脈沖輻射探測。
2.根據權利要求1所述的縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：所述高能球磨機是筒式球磨機、振動球磨機、行星式球磨機、軸承球磨機、振動磨、攪拌磨或膠體磨。
3.根據權利要求1所述的縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：所述的高速氣流粉碎機使用的高速氣流是氮氣、其他惰性氣體或還原性氣體。
4.根據權利要求1或2或3所述的縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：所述制備CsI(Na)晶體是利用坩堝下降法或提拉法生長CsI(Na)晶體。
5.根據權利要求4所述的縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：所述CsI(Na)晶體是在真空狀態或室溫狀態生長。
6.一種縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：包括以下步驟：
1】制備CsI(Na)晶體；
2】利用高速氣流粉碎機配置納米粒度分級機將CsI(Na)晶體制備成納米粒度的粉末；
3】用納米粒度的CsI(Na)晶體粉末制備探測器，進行快脈沖輻射探測。
7.根據權利要求6所述的縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：所述的高速氣流粉碎機使用的高速氣流是氮氣、其他惰性氣體或還原性氣體。
8.根據權利要求6或7所述的縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：所述制備CsI(Na)晶體是利用坩堝下降法或提拉法生長CsI(Na)晶體。
9.根據權利要求8所述的縮短CsI(Na)晶體X、γ射線激發下發光衰減時間的方法，其特征在于：所述CsI(Na)晶體是在真空狀態或室溫狀態生長。
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