[發明專利]氧含量低的Cu?Ga系合金粉末、Cu?Ga系合金靶材、以及靶材的制造方法有效
| 申請號： | 201210159910.5 | 申請日： | 2012-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN103421976B | 公開（公告）日： | 2017-11-21 |
| 發明（設計）人： | 澤田俊之 | 申請（專利權）人： | 山陽特殊制鋼株式會社 |
| 主分類號： | C22C9/00 | 分類號： | C22C9/00;B22F1/00;B22F3/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 含量 cu ga 合金 粉末 以及 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Cu-Ga系合金濺射靶材，其含有以原子％計25％以上且不足40％的Ga，余量包含Cu和不可避免的雜質，氧含量為120ppm以上不足250ppm，且結晶粒徑超過10μm且為26μm以下，并且，抗彎強度為350MPa以上。
2.根據權利要求1所述的Cu-Ga系合金濺射靶材，其含有以原子％計25％以上且不足40％的Ga，余量僅由Cu和不可避免的雜質構成。
3.根據權利要求1所述的Cu-Ga系合金濺射靶材，其中，Ga的含量超過29％且為38％以下。
4.根據權利要求1所述的Cu-Ga系合金濺射靶材，其中，氧含量為200ppm以下。
5.一種權利要求1所述的Cu-Ga系濺射靶材的制造方法，其包括如下工序，
通過N2氣體使以原子％計含有25％以上且不足40％的Ga且余量由Cu和不可避免的雜質構成的Cu-Ga系合金的熔融金屬霧化來準備以原子％計含有25％以上且不足40％的Ga，余量由Cu和不可避免的雜質構成，氧含量為120ppm以上200ppm以下的Cu-Ga系合金粉末作為原料，
在400～650℃的溫度下，使所述原料固化成型。
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