[發明專利]凸塊結構以及電子封裝接點結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210159760.8
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN103187387A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 林育民;詹朝杰;張道智
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種凸塊結構，包括：

基板；

焊墊，設置于該基板上；

電極，由第一金屬材料制成，設置于該焊墊上；以及

凸出電極，由第二金屬材料制成，設置于該電極上，其中該凸出電極的截面積小于該電極的截面積。

2.如權利要求1所述的凸塊結構，還包括保護層，設置于該基板上與該焊墊上，且暴露出部分該焊墊。

3.如權利要求1所述的凸塊結構，還包括導電材料層，覆蓋該凸出電極與該電極。

4.一種電子封裝接點結構，包括：

第一基板，包括：

至少一個第一電極，設置于該第一基板上；

第二基板，包括：

至少一個第二電極，設置于該第二基板上；以及

至少一個接點，分別設置于每一該至少一個第一電極與每一該至少一個第二電極之間，其中該接點包括：

金屬間化合物層，為連續性結構，且直接連接于該第一電極與該第二電極；以及

導電材料層，設置于該金屬間化合物層周圍，且覆蓋該金屬間化合物層。

5.如權利要求4所述的電子封裝接點結構，其中該金屬間化合物層為柱狀結構。

6.如權利要求4所述的電子封裝接點結構，其中該金屬間化合物層包括：

第一部分，連接于該第一電極與該第二電極；

第二部分，設置于該第一部分周圍，且連接于該第一電極與該第一部分；以及

一個第三部分，設置于該第一部分周圍，且連接于該第二電極與該第一部分。

7.如權利要求6所述的電子封裝接點結構，其中該金屬間化合物層為I字型結構。

8.如權利要求4所述的電子封裝接點結構，其中該金屬間化合物層的材料包括Cu_xSn_y、Ni_xSn_y、In_xSn_y、Zn_xSn_y或Au_xSn_y。

9.如權利要求4所述的電子封裝接點結構，其中該第一電極與該第二電極的材料包括銅、銀、鎳、鋁、鈦、鎢、鉻、金、鋅、鉍、銦或其組合合金。

10.如權利要求4所述的電子封裝接點結構，其中該導電材料層的材料包括Sn、SnAg或SnAgCu。

11.如權利要求4所述的電子封裝接點結構，其中該金屬間化合物層的電阻系數小于該導電材料層的電阻系數。

12.如權利要求4所述的電子封裝接點結構，其中該導電材料層連接于該第一電極及該第二電極或通過該金屬間化合物層而與該第一電極及該第二電極隔離。

13.一種電子封裝接點結構的制造方法，包括：

提供第一基板，該第一基板上已形成有至少一個第一電極、至少一個第一凸出電極與至少一個第一導電材料層，其中該至少一個第一凸出電極分別形成于每一該至少一個第一電極上，且該至少一個第一導電材料層分別覆蓋每一該至少一個第一電極與每一該至少一個第一凸出電極；

提供第二基板，該第二基板上已形成有至少一個第二電極、至少一個第二凸出電極與至少一個第二導電材料層，其中該至少一個第二凸出電極分別形成于每一該至少一個第二電極上，且該至少一個第二導電材料層分別覆蓋該至少一個第二電極與每一該至少一個第二凸出電極；以及

對該第一基板與該第二基板進行一鍵合工藝，以使得每一該至少一個第一凸出電極與每一該至少一個第二凸出電極連接而形成至少一個金屬間化合物層，其中該金屬間化合物層為連續性結構，且直接連接于該第一電極與該第二電極。

14.如權利要求13所述的電子封裝接點結構的制造方法，其中該鍵合工藝的加熱溫度為150℃至300℃，而該鍵合工藝的加熱時間為3秒至60分。

15.如權利要求13所述的電子封裝接點結構的制造方法，其中該第一凸出電極與該第二凸出電極的材料包括金屬間化合物。