[發明專利]半導體外延生長襯底

無效

• 申請號: 201210159669.6
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN102856451A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 彭暉
• 申請（專利權）人: 張濤;彭暉
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00;C30B19/12;C30B23/00;C30B25/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種劃分成子區域的生長襯底，包括：生長襯底，所述的生長襯底的第一主表面具有溝槽，在所述的溝槽中具有氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，所述的氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層覆蓋所述的溝槽的底面，所述的溝槽把所述的生長襯底分隔成至少兩個子區域，在每個所述的子區域，所述的生長襯底的第一主表面暴露。

2.根據權利要求1的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層包括，二氧化硅覆蓋層，氮化硅覆蓋層。

3.根據權利要求1的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的溝槽的寬度大于等于2倍的預計的后續生長的外延層的厚度。

4.根據權利要求1的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的子區域的形狀包括，多邊形、圓形、環形、不規則形狀、不規則環形狀，以及所述的多邊形、所述的圓形、所述的環形、所述的不規則形、所述的不規則環形狀的組合。

5.根據權利要求4的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的子區域的多邊形狀包括，三角形、正方形、長方形、平行四邊形、五邊形、六邊形、八邊形。

6.根據權利要求1的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的溝槽的俯視形狀包括，直線形狀、圓弧形狀、曲線形狀、不規則形狀，以及所述的直線形狀、所述的圓弧形狀、所述的曲線形狀、所述的不規則形狀的組合；所述的溝槽的俯視形狀的組合包括，至少兩個相同形狀的所述的溝槽，或者，至少兩個不相同形狀的所述的溝槽。

7.根據權利要求5的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的生長襯底具有一個平邊；所述的溝槽的俯視形狀由下述的至少一個元素組成，所述的元素包括：與所述的平邊平行的直線、與所述的平邊垂直的直線、與所述的平邊成非90度非0度的角度的斜線、圓弧、曲線，以及所述的與所述的平邊平行的直線、所述的與所述的平邊垂直的直線、所述的斜線、所述的圓弧、所述的曲線的組合。

8.根據權利要求1的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的生長襯底進一步包括邊緣溝槽，所述的邊緣溝槽形成在所述的生長襯底的圓周的邊緣；所述的邊緣溝槽中具有氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層，氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層覆蓋邊緣溝槽的底面。

9.根據權利要求8的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的邊緣溝槽的俯視形狀包括，圓弧形狀和直線形狀的組合、不規則形狀。

10.根據權利要求1的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，所述的生長襯底包括，氮化鎵生長襯底、碳化硅生長襯底、藍寶石生長襯底、硅生長襯底、石墨生長襯底、氧化鋁陶瓷生長襯底、氮化鋁陶瓷生長襯底、玻璃生長襯底、氧化鎵生長襯底、氧化鋅生長襯底。

11.根據權利要求1的劃分成子區域的生長襯底，其特征在于，制造權利要求1的劃分成子區域的生長襯底的方法是從一組制造方法中選出，一組制造方法包括，(1)先進行切割工藝步驟、再進行磨薄工藝步驟、然后進行形成溝槽和氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層工藝步驟、最后進行拋光工藝步驟；(2)先進行切割工藝步驟、再進行形成溝槽和氧化物覆蓋層或氮化物覆蓋層工藝步驟、然后進行磨薄工藝步驟、最后進行拋光工藝步驟。