[發(fā)明專利]一種移位寄存器單元、移位寄存器、顯示裝置和驅(qū)動方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210159471.8
• 申請日: 2012-05-21
• 公開（公告）號: CN102708926A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆巖;曹昆
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C19/28
• 分類號: G11C19/28;G09G3/36
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種移位寄存器單元，其特征在于，包括：

存儲電容，一端與上拉結(jié)點(diǎn)連接，另一端與輸出端連接；

第一薄膜晶體管，用于在輸入信號為高電平時(shí)，為上拉結(jié)點(diǎn)和所述存儲電容充電；

復(fù)位模塊，用于根據(jù)復(fù)位信號的控制為所述上拉結(jié)點(diǎn)和所述存儲電容放電；

第三薄膜晶體管，用于在第一時(shí)鐘信號為高電平時(shí)，向輸出端發(fā)送輸出信號；

第八薄膜晶體管，用于在所述第三薄膜晶體管向所述輸出端發(fā)送輸出信號時(shí)，發(fā)送觸發(fā)信號；

電位保持模塊，用于根據(jù)所述第一時(shí)鐘信號和第二時(shí)鐘信號，交替控制下拉結(jié)點(diǎn)在下一個(gè)輸入信號到來之前處于高電位以使所述上拉結(jié)點(diǎn)和所述輸出端持續(xù)放電。

2.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述復(fù)位模塊包括：

復(fù)位端子；

第二薄膜晶體管，柵極與所述復(fù)位端子連接、源極與所述上拉結(jié)點(diǎn)連接、漏極與低電平連接；

第四薄膜晶體管，柵極與所述復(fù)位端子連接、源極與所述輸出端連接、漏極與低電平連接。

3.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述電位保持模塊包括：

第五薄膜晶體管，源極和柵極與第二時(shí)鐘信號輸入端連接、漏極與下拉結(jié)點(diǎn)連接；

第六薄膜晶體管，源極與所述下拉結(jié)點(diǎn)連接、柵極與所述存儲電容的一端連接、漏極與低電平連接；

第九薄膜晶體管，源極和柵極與第一時(shí)鐘信號輸入端連接、漏極與所述下拉結(jié)點(diǎn)連接；

第十薄膜晶體管，源極與所述上拉結(jié)點(diǎn)連接、柵極與所述下拉結(jié)點(diǎn)連接、漏極與低電平連接；

第十一薄膜晶體管，源極與所述輸出端連接、柵極與所述下拉結(jié)點(diǎn)連接、漏極與低電平連接。

4.如權(quán)利要求1-3所述的移位寄存器單元，其特征在于，第三薄膜晶體管的W/L值大于第八薄膜晶體管的W/L值。

5.一種移位寄存器，其特征在于，包括多級級聯(lián)的如權(quán)利要求1-4中任一所述的移位寄存器單元，其中：

第n級移位寄存器單元的輸出端連接第n-1級移位寄存器單元的復(fù)位端子；

第n級移位寄存器單元的INPUT_NEXT端連接第n+1級移位寄存器單元的輸入端。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求5所述的移位寄存器。

7.一種驅(qū)動權(quán)利要求5所述移位寄存器的驅(qū)動方法，其特征在于，包括：

當(dāng)?shù)趎級移位寄存器單元的輸入端接收到高電平信號時(shí)，第一薄膜晶體管開啟，對上拉節(jié)點(diǎn)充電；

當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘信號為高電平時(shí)，輸出端的輸出信號為高電平；

下一個(gè)時(shí)鐘信號周期內(nèi)，復(fù)位信號為高電位，開始對本級上拉節(jié)點(diǎn)PU和輸出端放電，使本級輸出端為低電平。

之后，第一時(shí)鐘信號和第二時(shí)鐘信號交替控制使得在下一個(gè)輸入信號到來之前本級輸出端持續(xù)處于低電平。