[發明專利]超高壓組件與操作超高壓組件的方法

有效

• 申請號: 201210159287.3
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN103427603A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 陳啟賓;林永豪;莊明男;郭敏映
• 申請（專利權）人: 通嘉科技股份有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H01L29/00
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種超高壓組件，其特征在于包括：

第一閘極，用以接收產生自脈沖寬度調變控制器的第一控制信號；

第二閘極，用以接收產生自該脈沖寬度調變控制器的第二控制信號；

汲極，用以接收輸入電壓；

第一源極；

第二源極；及

第三源極；

其中從該汲極流向該第一源極的第一電流是隨該第一控制信號與該輸入電壓而改變，該第二控制信號是用以控制從該汲極流向該第二源極的第二電流及從該汲極流向該第三源極的第三電流的開啟與關閉，其中該第三電流和該第二電流成比例。

2.如權利要求1所述的超高壓組件，其特征在于，該第一閘極的厚度與該第二閘極的厚度相同。

3.如權利要求1所述的超高壓組件，其特征在于，該第一閘極的厚度大于該第二閘極的厚度。

4.如權利要求1所述的超高壓組件，其特征在于，該輸入電壓是由能量轉換電路所產生。

5.如權利要求1所述的超高壓組件，其特征在于，該第一電流是做為該脈沖寬度調變控制器的啟動電流。

6.一種超高壓組件，其特征在于包括：

具有第一導電類型的基底；

具有第二導電類型的第一摻雜井，其中該第一摻雜井形成于該基底之上，且具有延伸部；

具有該第二導電類型的汲極，其中該汲極形成于該第一摻雜井，且該汲極的離子濃度較該第一摻雜井的離子濃度高；

具有該第一導電類型的第二摻雜井，其中該第二摻雜井圍繞該延伸部之外的該第一摻雜井且形成于該基底之上；

具有該第二導電類型的第一源極，其中該第一源極形成于該延伸部，且該第一源極的離子濃度較該第一摻雜井的離子濃度高；

第一場氧化層，形成于該第一源極、該汲極及該第二摻雜井之外的該第一摻雜井之上；

第一閘極，形成于該汲極與該第一源極之間，且位于該第一場氧化層之上；

第二閘極，部分形成于該第一摻雜井的該第一場氧化層之上和部分形成于該第二摻雜井之上；

具有該第二導電類型的第二源極，其中該第二源極形成于該第二摻雜井，且該第二源極的離子濃度較該第一摻雜井的離子濃度高；

具有該第二導電類型的第三源極，其中該第三源極形成于該第二摻雜井，且該第三源極的離子濃度較該第一摻雜井的離子濃度高；及

具有該第一導電類型的基極，其中該基極形成于該第二摻雜井，且該基極的離子濃度較該第二摻雜井的離子濃度高。

7.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第一摻雜井、該汲極、該第二摻雜井、該第一源極、該第二源極、該第三源極與該基極是通過微影制程與離子植入而形成。

8.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該汲極、該第一源極與該延伸部是位于同一軸上。

9.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第一導電態樣是為P型，且該第二導電態樣是為N型。

10.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第一導電態樣是為N型，且該第二導電態樣是為P型。

11.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第一場氧化層是為區域硅氧化法制作的場氧化層。

12.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第一閘極與該第二閘極是為多晶硅閘極。

13.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，另包括：

第二場氧化層，形成于該第三源極與該基極之間的該第二摻雜井之上，且是為區域硅氧化法制作的場氧化層。

14.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，另包括：

第三場氧化層，形成于該基極的一邊的該第二摻雜井之上，且是為區域硅氧化法制作的場氧化層。

15.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第二源極所對應的該第二閘極的長度是大于該第三源極所對應的該第二閘極的長度。

16.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第一閘極的厚度與該第二閘極的厚度相同。

17.如權利要求6所述的超高壓組件，其特征在于，該第一閘極的厚度大于該第二閘極的厚度。