[發明專利]一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備有效
| 申請號: | 201210159125.X | 申請日: | 2012-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN102677020A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | 姜言森;張春艷;張麗麗;杜敏;孫繼峰;張黎明;劉鵬;李玉花;程亮;任現坤;賈河順;徐振華;李剛;王兆光;姚增輝;張同星 | 申請(專利權)人: | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;H01L31/18 |
| 代理公司: | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
| 地址: | 250103 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 雙層 鍍膜 設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池的鍍膜設備,具體涉及一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備。?
背景技術
在各種硅太陽電池中,晶體硅電池一直占據著最重要的地位?近年來,增加設備產能一直是設備開發者追求的目標。板式鍍膜設備主要依靠增加反應腔室的長度和寬度來增加產能,但是增加反應腔室的長度和寬度會造成更加龐大的設備,且更大的鍍膜面積導致片間均勻性更加不穩定,大大增加設備制造難度及成本。?
發明內容
本發明的目的就是針對上述問題而提出的一種晶體硅太陽能電池雙層鍍膜設備,可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備,在不增加反應腔室長度和寬度的情況下使得產能翻倍,適用于產業化生產。
本發明的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設備技術方案為,包括反應腔室和硅片載板,硅片載板為雙層硅片載板位于反應腔室中部,另外還包括反應腔室上方的上進氣孔,下方的下進氣孔,反應腔室兩側的排氣孔,硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源,與排氣孔外接的真空泵和均勻分布在在反應腔室上下內表面的加熱裝置。
雙層硅片載板為石墨板,分為上載板和下載板,上載板設有與硅片形狀一致的均勻鏤空,鏤空大小略小于硅片,鏤空上方承載硅片,用此載板可以對硅片上表面進行減反射膜制備;下載板均勻鏤空,鏤空形狀與硅片形狀一致,鏤空大小略大于硅片,在下載板下邊緣設置掛鉤,硅片水平置于掛鉤上,用此載板可以對硅片下表面進行減反射膜制備。
上等離子源位于硅片載板上方,下等離子源位于硅片載板下方,上下等離子源均可單獨控制,可根據工藝情況分別調整其工藝參數。
上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方,下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方,上下進氣孔可單獨控制,可以通入不同的氣體及氣體流量。
排氣孔位于反應腔室側面,與硅片載板處于同一水平面,硅片載板上方和下方反應產生的氣體均從排氣孔排出,排氣孔外接真空泵,以保證反應腔室一定的真空度。
該晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片上表面鍍膜的反應流程為:鍍膜工藝進行時,加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度,反應氣體通過上進氣孔進入反應腔室,上等離子源對反應氣體進行解離,解離狀態下氣體將發生反應,鍍制在雙層硅片載板上載板的硅片上表面,真空泵將反應廢氣通過排氣孔抽走,并保證反應腔室的真空度。
該晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片下表面鍍膜的反應流程為:鍍膜工藝進行時,加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度,反應氣體通過下進氣孔進入反應腔室,下等離子源對反應氣體進行解離,解離狀態下氣體將發生反應,鍍制在雙層硅片載板下載板的硅片下表面,真空泵將反應廢氣通過排氣孔抽走,并保證反應腔室的真空度。
本發明的有益效果是:本發明的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設備,包括反應腔室和硅片載板,硅片載板為雙層硅片載板,另外還包括上進氣孔,下進氣孔,排氣孔,上等離子源及下等離子源,真空泵和加熱裝置。
雙層硅片載板上、下載板均設有與硅片形狀一致的均勻鏤空,上載板鏤空大小略小于硅片,鏤空上方承載硅片,用此載板可以對硅片上表面進行減反射膜制備;下載板鏤空大小略大于硅片,在下載板下邊緣設置掛鉤,硅片水平置于掛鉤上,用此載板可以對硅片下表面進行減反射膜制備。
上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方,下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方,上、下進氣孔,上、下等離子源均可單獨控制,根據工藝情況分別調整其工藝參數,通入不同的氣體及氣體流量。
排氣孔位于反應腔室側面,與硅片載板處于同一水平面,硅片載板上方和下方反應產生的氣體均從排氣孔排出,排氣孔外接真空泵,以保證反應腔室一定的真空度。
使用該設備可以同時對上下兩層硅片進行減反射膜制備,在不增加反應腔室長度和寬度的情況下使得產能翻倍,每層石墨板可放置硅片五排九列,雙層硅片鍍膜一次可以實現5*9*2(五排九列兩層)共90片硅片的鍍膜,在相同的時間內實現了產能翻倍,適用于產業化生產。
附圖說明:
圖1所示為本發明的垂直剖面圖;
圖2所示為上載板設計;
圖3所示為下載板設計。
圖中,1.上進氣孔,2.下進氣孔,3.排氣孔,4.加熱裝置,5.上等離子源,6.?下等離子源,7.?上載板,8.下載板,?9.硅片,10.?反應腔室,11.?掛鉤,12.真空泵。
具體實施方式:
為了更好地理解本發明,下面結合附圖和實例來說明本發明的技術方案,但是本發明并不局限于此。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





