[發明專利]一種集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片及其制備方法

無效

• 申請號: 201210159058.1
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN102671730A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 國世上;趙興中;喻小磊;李莎莎
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.一種集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片，其特征在于，包括：

玻璃基片、玻璃芯片上的電極、電極上的鎳柱微陣列和具有微通道的芯片基片，所述的芯片基片固定于玻璃基片上，且所述的電極和所述的鎳柱微陣列位于所述的芯片基片的微通道中。

2.根據權利要求1所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片，其特征在于：

所述的鎳柱為圓柱形，其高度為10μm，直徑為30μm。

3.根據權利要求1所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片，其特征在于：

所述的電極為鉻金電極，厚度為50-100nm。

4.權利要求1-3中任一項所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于，包括步驟：

1）在玻璃基片上制備電極，并在電極上制備鎳柱微陣列；

2）制備具有微通道的聚合物微流控芯片基片，所述的芯片基片采用聚二甲基硅氧烷制備得到；

3）將步驟1所得玻璃基片和步驟3所得芯片基片進行鍵合，即得到集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片。

5.根據權利要求4所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于：

步驟1中在玻璃基片上制備電極的過程具體為：采用軟刻蝕法將電極圖案轉移到玻璃基片上，然后采用蒸鍍法或磁控濺射法在玻璃基片上的電極圖案上制備電極。

6.根據權利要求4或5所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于：所述的電極為鉻金電極，其厚度為50-100nm。

7.根據權利要求4所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于：

步驟1中在電極上制備鎳柱微陣列的過程具體為：采用軟刻蝕法將微陣列圖案轉移到電極上，然后在電極的微陣列圖案上電鍍上金屬鎳，即得到鎳柱微陣列。

8.根據權利要求4或7所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于：所述的鎳柱為圓柱形，其高度為10μm、直徑為30μm。

9.根據權利要求4所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于：

步驟2具體為：采用軟刻蝕法或反應離子刻蝕法制備聚合物流控芯片的陽模模板，將液態聚二甲基硅氧烷倒在陽模模板上，固化后，經脫模、打孔，即得到具有微通道的芯片基片。

10.根據權利要求9所述的集成鎳柱微陣列的聚合物微流控芯片的制備方法，其特征在于：

所述的陽模模板為單晶硅陽模模板。