[發(fā)明專利]一種雙光纖1×3 V槽型耦合器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210158824.2 | 申請日: | 2012-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN102662216A | 公開(公告)日: | 2012-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳宏堯;寧提綱;李超;油海東;鄭晶晶;賈國棟 | 申請(專利權(quán))人: | 北京交通大學(xué) |
| 主分類號: | G02B6/28 | 分類號: | G02B6/28 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100044 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光纖 耦合器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種雙光纖1×3?V槽型耦合器,特別適用光纖通信、光纖傳感、微波光子等領(lǐng)域。?
技術(shù)背景:
隨著光纖通信技術(shù)、光纖用戶網(wǎng)、光纖CATV、無源光網(wǎng)絡(luò)、光纖傳感技術(shù)等領(lǐng)域的迅猛發(fā)展,光纖耦合器的應(yīng)用也越來越廣泛,有關(guān)專家認為光耦合器和波分復(fù)用器(WDM)將成為無源器件新的增長點。?
近來,由于加工精度的不斷提高(已達到um量級),使得對光纖進行精加工變成了可能,并且現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光纖器件的研發(fā)中。?
傳統(tǒng)的雙光纖耦合器,一般用熔融拉錐的方法實現(xiàn),一般只能實現(xiàn)2×2的耦合(1×2的耦合),有一路未使用,中國專利?申請?zhí)?200510024597.4、中國專利?專利號?ZL?200510024598.9、中國專利?專利號ZL?200510024599.3、中國專利?申請?zhí)?200510024600.2、中國專利?專利號ZL?200820234827.9、中國專利?申請?zhí)?200910058125.9分別給出了不同的實現(xiàn)1×2、2×2耦合的光纖耦合器的方案,但以上專利均未能實現(xiàn)雙光纖實現(xiàn)1×3耦合的功能;若想實現(xiàn)3×3耦合(1×3耦合),傳統(tǒng)方法需要用三根光纖進行熔融拉錐,有兩路未使用,中國專利?專利號?ZL?03247236.6給出了一種組合式1×4光纖樹形耦合器,但此種方案實際上是3個1×2光纖耦合器的組合,利用了至少4根光纖,其中至少有2路光纖未使用,若采用本專利中的雙光纖1×3?V槽型耦合器進行類似組合,則可實現(xiàn)遠遠大于1×4的效果,因此此專利所給出的方法同樣沒有充分利用光纖。?
發(fā)明內(nèi)容:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:傳統(tǒng)兩根光纖熔融拉錐無法實現(xiàn)的3×3耦合(1×3耦合),傳統(tǒng)熔融拉錐實現(xiàn)3×3耦合(1×3耦合)沒有充分利用光纖,而造成損耗較大,分光比不易控制等問題。?
本發(fā)明的技術(shù)方案為:?
一種雙光纖1×3?V槽型耦合器,包括主光纖和支路光纖,其特征在于:主光纖和支路光纖通過開相對應(yīng)的槽連接;主光纖的第一槽面、第二槽面、第三槽面和支路光纖的第一槽面、第二槽面、第三槽面、第四槽面、第五槽面平整;支路光纖第五槽面上開有V型槽,由支路光纖的第四槽面和第五槽面構(gòu)成;支路光纖的第四槽面與第五槽面之間的夾角在0度到180度之間選取,但不能為0度或180度;主光纖的開槽形狀根據(jù)支路光纖的開槽方式而改變,保證兩光纖組合時主光纖的第一槽面與支路光纖的第二槽面貼合,主光纖的第二槽面與支路光纖第一槽面貼合,主光纖的第三槽面與支路光纖的第三槽面貼合,且支路光纖第四槽面與第五槽面末端直線距離應(yīng)與主光纖開槽后露出纖芯寬度相同,以保證對應(yīng)槽相互匹配。本發(fā)明和已有技術(shù)相比所具有的有益效果:?
此雙光纖1×3?V槽型耦合器很容易實現(xiàn)兩根光纖3×3耦合(1×3耦合),并且充分利用兩根光纖,因此損耗更低、分光比更易控制、穩(wěn)定性好更好。?
附圖說明:
圖1為主光纖1的左視圖。?
圖2為主光纖1的俯視圖。?
圖3為主光纖1的主視圖。?
圖4為支路光纖2的左視圖。?
圖5為支路光纖2的主視圖。?
圖6為圖4的A-A剖面圖。?
圖7為雙光纖1×3?V槽型耦合器左視圖。?
圖8為雙光纖1×3?V槽型耦合器主視圖。?
圖9為圖8的B-B剖面圖。?
具體實施方式:
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步描述。?
實施方式一:?
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