[發明專利]一種提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法

有效

• 申請號: 201210158723.5
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN102832110A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/8244;G06F17/50
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，包括以下工藝步驟：

步驟一，在版圖上生成NMOS多晶硅柵預注入光刻板，并使SRAM版圖中控制管和下拉管區域未被所述光刻板覆蓋；

步驟二，對NMOS區域中未被光刻板覆蓋的控制管和下拉管區域進行第五族元素的注入；?

步驟三，在版圖上生成PMOS多晶硅柵預注入光刻板，并使SRAM版圖中控制管和上拉管區域未被所述光刻板覆蓋；

步驟四，對PMOS多晶硅柵預注入光刻板中未被光刻板覆蓋的控制管和上拉管區域進行第五族元素的注入，以完成最后的注入工藝。

2.根據權利要求1所述的提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，所述第二步驟中，第三族元素為B、Ga和IN。

3.根據權利要求1所述的提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，所述第三步驟中，第五族元素為P、As和Sb。

4.根據權利要求1所述的提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，降低了節點（8）的電位。