[發明專利]一種改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法

無效

• 申請號: 201210158722.0
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN102709188A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 張文廣;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8244
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：在一半導體結構上，沉積側墻氧化物層覆蓋所述半導體結構的上表面后；

步驟S2：沉積側墻氮化物層覆蓋所述側墻氧化物層的上表面，于小線寬處區域上形成懸掛膜；

步驟S3：采用原位等離子刻蝕工藝部分刻蝕所述側墻氮化物層，以去除懸掛膜；

步驟S4：依次重復步驟S2、S3直至最終形成的側墻氮化物層的厚度符合工藝需求；

其中，所述原位等離子刻蝕工藝采用的等離子在反應腔室內產生。

2.根據權利要求1所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，所述小線寬處區域為靜態存儲器SRAM的多晶柵區域。

3.根據權利要求2所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，所述半導體結構包括設置在硅襯底上的阱區，及部分嵌入設置所述阱區內的淺溝隔離槽，阱區上設置有多個多晶柵，所述側墻氧化物層覆蓋暴露的阱區及淺溝隔離槽的上表面、所述多個多晶柵的上表面及其側壁。

4.根據權利要求3所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，所述多晶柵與所述阱區之間設置有多晶柵氧化物層。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，步驟S2中沉積側墻氮化物層的沉積溫度小于300-600℃。

6.根據權利要求5所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，步驟S3中采用NF₃、H₂的原位等離子進行等離子刻蝕工藝。

7.根據權利要求6所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，所述原位等離子刻蝕工藝采用的等離子在進行工藝步驟2、3的反應腔室內直接生成。

8.根據權利要求7所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，在刻蝕去除小線寬處區域上的懸掛膜的同時，覆蓋在大線寬處區域上的氮化硅薄膜也被部分刻蝕。

9.根據權利要求8所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，所述大線寬處區域為單個多晶柵區域。

10.跟據權利要求9所述的改善側墻氮化硅不同區域的厚度均勻性的方法，其特征在于，所述側墻氧化物層的材質為二氧化硅，所述側墻氮化物層的材質為氮化硅。