[發明專利]一種提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法有效
| 申請號： | 201210158714.6 | 申請日： | 2012-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN102832174A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 俞柳江 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8244 | 分類號： | H01L21/8244;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 靜態 隨機 儲存器 讀出 冗余 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，包括以下工藝步驟：
步驟一，在版圖上生成NMOS多晶硅柵預注入光刻板，使得普通NMOS區域被打開，并使SRAM版圖中控制管區域被覆蓋，下拉管區域被打開；
步驟二，在版圖上生成PMOS多晶硅柵預注入光刻板，使得普通PMOS區域和SRAM版圖中上拉管被打開；
步驟三，利用NMOS多晶硅柵預注入光刻板進行多晶硅柵預注入工藝，對普通NMOS區域和SRAM版圖中下拉管區域進行第五族元素的注入；?
步驟四，利用PMOS多晶硅柵預注入光刻版進行多晶硅柵預注入工藝，對普通PMOS區域和SRAM版圖中上拉管區域進行第三族元素的注入，以完成最后的注入工藝。
2.根據權利要求1所述的提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，所述第三族元素為B、Ga和IN。
3.根據權利要求1所述的提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，所述第五族元素為P、As和Sb。
4.根據權利要求1所述的提高靜態隨機儲存器讀出冗余度的方法，其特征在于，降低了節點（8）的電位。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
