[發(fā)明專利]一種多溝槽終端肖特基器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210158561.5
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN103390654B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱江
• 申請（專利權(quán)）人: 朱江
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多溝槽終端肖特基器件，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料；

漂移層，為第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，位于襯底層之上；多個

溝槽，位于器件邊緣漂移層中，溝槽內(nèi)壁表面有絕緣材料，臨靠溝槽側(cè)壁區(qū)域設(shè)置有第二傳導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料；

肖特基勢壘結(jié)，位于漂移層表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽底部位于漂移層中。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的器件邊緣溝槽之間半導(dǎo)體材料為第二傳導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的器件邊緣溝槽之間的第二傳導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料作為器件的浮空場環(huán)。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的靠近肖特基勢壘結(jié)溝槽側(cè)壁的第二傳導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料作為肖特基勢壘結(jié)邊緣保護(hù)環(huán)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二傳導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料的結(jié)深可以大于溝道的深度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的第二傳導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料的結(jié)深可以小于溝道的深度。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢壘結(jié)邊緣被第二傳導(dǎo)類型半導(dǎo)體材料包裹。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢壘結(jié)被溝槽包圍。

10.如權(quán)利要求1所述的一種多溝槽終端肖特基器件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層上通過外延生產(chǎn)形成第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料層；

2)在表面形成第一鈍化層，在待形成溝槽區(qū)域表面去除第一鈍化層；

3)進(jìn)行雜質(zhì)摻雜；

4)進(jìn)行刻蝕半導(dǎo)體材料，形成溝槽；

5)在溝槽內(nèi)壁形成第二鈍化層，腐蝕去除器件表面第一鈍化層；

6)在器件表面淀積金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢壘結(jié)。