[發明專利]制造半導體模塊的方法以及半導體模塊

有效

• 申請號: 201210158325.3
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN102779762A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 阪井孝江;村上雅啟;櫛野正彥;天野義久;得能真一
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種制造半導體模塊的方法，包括：

安裝步驟，用于在集合襯底的頂部表面的獨立模塊部分上安裝電子組件；

密封步驟，用于用絕緣密封樹脂層密封安裝了電子組件的所述頂部表面；

洞孔形成步驟，用于形成從所述密封樹脂層的頂部表面延伸至提供在所述集合襯底處的接地引線的洞孔；

成膜步驟，用于形成由導電材料制成的導電膜從而覆蓋至少所述密封樹脂層的頂部表面、所述洞孔的內部表面、以及接地線；以及

分離步驟，用于將獨立模塊部分所包括的多個獨立模塊部分彼此分離。

2.如權利要求1所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

其中在所述獨立模塊部分中設置有接地引線的襯底被用作所述集合襯底。

3.如權利要求1或2所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

其中為每一個所述獨立模塊部分而提供多個接地引線作為接地引線的襯底被用作所述集合襯底；且

所述洞孔形成步驟形成達到所述接地引線的多個洞孔。

4.如權利要求1至3中任一項所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

其中在最外面引線層中設置有接地引線的襯底被用作所述集合襯底。

5.如權利要求4所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

其中在所述接地引線上形成阻焊劑的襯底被用作所述集合襯底；且

所述洞孔形成步驟中，所述密封樹脂層和所述阻焊劑被從所述洞孔中移除。

6.如權利要求1至3中任一項所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

其中在內引線層中設置有接地引線的襯底被用作所述集合襯底。

7.如權利要求6所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

其中在形成所述洞孔的區域處在所述接地引線和所述密封樹脂層之間沒有其他引線形成的襯底被用作所述集合襯底。

8.一種制造半導體模塊的方法，包括：

安裝步驟，用于在集合襯底的頂部表面的獨立模塊部分上安裝電子組件；

密封步驟，用于用絕緣密封樹脂層密封其上安裝了電子組件的所述頂部表面；

洞孔形成步驟，用于形成穿透所述集合襯底與所述密封樹脂層的洞孔；

成膜步驟，用于形成由導電材料制成的導電膜從而覆蓋所述密封樹脂層的頂部表面和所述洞孔的內部表面；以及

分離步驟，用于將獨立模塊部分所包括的多個獨立模塊部分彼此分離。

9.如權利要求8所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

所述洞孔形成步驟形成洞孔以使所述洞孔穿透集合襯底的沒有引線形成的部分。

10.如權利要求1至9中任一項所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

所述洞孔形成步驟形成多個洞孔作為所述洞孔，以使所述多個洞孔中的至少一個被形成于所述獨立模塊部分的邊緣處。

11.如權利要求10所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

所述獨立模塊部分具有矩形形狀；且

所述洞孔形成步驟在所述獨立模塊部分的角落處形成所述多個洞口的至少一個。

12.如權利要求10或11所述的制造半導體模塊的方法，

其特征在于，其中

所述洞孔形成步驟跨所述多個所述獨立模塊部分中的兩個或更多個而形成所述多個洞口的至少一個。

13.如權利要求1至12中任一項所述的制造半導體模塊的方法，其特征在于，還包括

凹槽形成步驟，在所述密封樹脂層中形成具有未達到所述集合襯底的厚度的凹槽，

所述凹槽形成步驟在所述密封步驟之后但在所述成膜步驟之前被執行。

14.如權利要求1至12中任一項所述的制造半導體模塊的方法，其特征在于，還包括

凹槽形成步驟，在所述密封樹脂層中形成具有達到所述集合襯底內部的厚度的凹槽，

所述凹槽形成步驟在所述密封步驟之后但在所述成膜步驟之前被執行。