[發明專利]濾波范圍430~630nm的無摻雜層光子晶體光學濾波器及其制作方法無效
| 申請號: | 201210157929.6 | 申請日: | 2012-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN102645695A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發明(設計)人: | 李萍;胡志剛;雷萬軍;楊曉利;宋霄薇;喬曉嵐;婁麗敏;張瑞 | 申請(專利權)人: | 河南科技大學 |
| 主分類號: | G02B5/20 | 分類號: | G02B5/20 |
| 代理公司: | 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 羅民健 |
| 地址: | 471000 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濾波 范圍 430 630 nm 摻雜 光子 晶體 光學 濾波器 及其 制作方法 | ||
1.濾波范圍430~630nm的無摻雜層光子晶體光學濾波器,其特征在于:濾波器包括光子晶體層(1)和鏡頭玻璃(2),光晶晶體層(1)設置在鏡頭玻璃(2)表面,光子晶體層(1)由10層A介質層和10層B介質層相互交替疊加構成(AB)5(BA)5型復合結構,所述的A為砷化鎵,B為二氧化硅,其中(AB)5表示5層A介質和B介質交替疊加構成的復合介質層,其中A介質層的厚度為38.118nm,B介質層的厚度為59.9nm,該復合介質層設置在光子晶體層(1)的內側,并與鏡頭玻璃連接;其中(AB)5表示5層A介質和B介質交替疊加構成的復合介質層,其中A介質層的厚度為38.118nm,B介質層的厚度為59.9nm,該復合介質層設置在光子晶體層(2)外側。
2.如權利要求1所述的濾波范圍430~630nm的無摻雜層光子晶體光學濾波器,其特征在于:所述的A介質層的折射率為????????????????????????????????????????????????,B介質層的折射率為,A介質層的厚度為,B介質層的厚度為,中心波長取532nm。
3.如權利要求1所述的濾波范圍430~630nm的無摻雜層光子晶體光學濾波器的制作方法,其特征在于:
步驟一、取一個鏡頭玻璃作為基板,將基板雙面拋光,備用;
步驟二、將加工好的基板表面進行清潔化處理,采用酸性清洗液和去離子水分別清洗基板,然后將基板置于熱板上烘干,溫度65°,時間10分鐘;
步驟三、將基板放入真空鍍膜機中,在其一個表面上進行A介質的鍍膜,砷化鎵折射率,中心波長取532nm時,其鍍膜厚度為,即38.118nm,鍍膜后干燥冷卻30分鐘,然后在基板鍍有A介質膜層的表面進行B介質的鍍膜,二氧化硅的折射率,中心波長取532nm時,其鍍膜厚度為,即59.9nm,鍍膜后干燥冷卻30分鐘;
步驟四、按照步驟三的方法交替進行A介質和B介質鍍膜,直至鍍好4層A介質膜層和4層B介質膜層,在基板上形成結構為的光子晶體復合鍍膜層;
步驟五、在光子晶體結構已經鍍膜為的基板結構上繼續進行A介質砷化鎵的鍍膜,厚度為38.118nm,干燥冷卻30分鐘,在基板上形成結構為的光子晶體復合鍍膜層;
步驟六、在基板上光子晶體結構已經鍍膜為的結構上進行B介質二氧化硅的鍍膜,厚度為119.8nm,在基板上形成結構為的光子晶體復合鍍膜層;
步驟七、按照步驟三的方法交替進行A介質和B介質鍍膜,直至鍍好5層A介質膜層和4層B介質膜層,在基板上形成結構為的光子晶體復合鍍膜層,制得表面設有光子晶體結構的濾波器。
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