[發明專利]垂直式交流發光二極管器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201210157568.5
• 申請日: 2012-05-21
• 公開（公告）號: CN102683534A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 陳順平;曾曉強;黃少華;潘群峰;吳志強
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.垂直式交流發光二極管器件，包括：

導電基板；

發光模塊，位于所述導電基板之上，其包含兩個水平并列且相互隔離的發光二極管，所述第一、第二發光二極管至上而下包括第一半導體層，發光層，第二半導體層；所述第一發光二極管的第二半導體層與所述導電基板之間設有一第一絕緣層，實現相互隔離；所述第二發光二極管的第二半導體層與所述導電基板形成歐姆接觸；

第一導電結構，連接所述第一發光二極管的第一半導體層、第二發光二極管第二半導體層及所述導電基板；

第二導電結構，連接所述第一發光二極管的第二半導體層與第二發光二極管的第一半導體層。

2.根據權利要求1所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：在所述發光模塊的出光面上有且只有一個電極結構，其與所述第二導電結構連接。

3.根據權利要求1所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：所述第一、第二發光二極管之間設有一第一溝道，在所述溝道的側壁覆蓋一第二絕緣層，中間填充導電材料形成導電柱。

4.根據權利要求3所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：所述導電柱的兩端分別連接所述第一發光二極管的第二半導體層與第二發光二極管的第一半導體層，構成所述第二導電結構。

5.根據權利要求4所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：在所述導電基板與發光模塊之間還設有歐姆接觸層。

6.根據權利要求5所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：所述第二導電結構的兩端分別與第二發光二極管的第一半導體層、所述歐姆接觸層連接，實現所述第一發光二極管的第二半導體層與第二發光二極管的第一半導體層的連接。

7.根據權利要求1所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：所述發光模塊通過一金屬鍵合層與所述導電基板連接。

8.根據權利要求7所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：所述第一絕緣層位于所述金屬鍵合層與所述第一發光二極管的第二半導體之間。

9.根據權利要求8所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：所述第一發光二極管設有一通道，其貫穿第二半導體層、發光層，底部位于第一半導體層，側壁覆蓋一層絕緣層，所述金屬鍵合層完全覆蓋所述發光模塊的第二半導體層并填充所述通道，構成所述第一導電結構。

10.根據權利要求7所述的垂直式交流發光二極管器件，其特征在于：所述第一絕緣層位于所述導電基板上，通過所述金屬鍵合層與發光模塊粘結。

11.垂直式交流發光二極管器件的制作方法，包括步驟：

1）提供一生長襯底，在其上外延生長發光外延層，其至下而上包括第一半導體層，發光層和第二半導體層；

2）定義單個發光模塊的大小，將所述發光外延層劃分為若干個發光模塊，每個發光模塊包括一正向導通區域、一反向導通區域和位于兩者之間的隔離區域；

3）制作第一導電結構，提供一導電基板，將所述發光外延層與導電基板連接；其中，所述反向導通區域的第二半導體層與所述導電基板之間設有一第一絕緣層，實現相互隔離；所述正向導電區域的第二半導體層與所述導電基板形成歐姆接觸；第一導電結構連接所述反向導通區域的第一半導體層、正向導通區域的第二半導體層及所述導電基板；

4）移除生長襯底；

5）隔離正向導通區域、反向導通區域的發光外延層，形成第一發光二極管和第二發光二極管，其中第一發光二極管對應所述反向導通區域，第二發光二極管對應所述正向導能區域；

6）制作第二導電結構，其連接所述第一發光二極管的第二半導體層與第二發光二極管的第一半導體層。

12.根據權利要求11所述的垂直式交流發光二極管器件的制作方法，其特征在于：還包括如下步驟：在所述發光外延層的第二半導體層之上形成一圖形化歐姆接觸層，其覆蓋前述每個發光模塊的正向導通區域、反向導通區域和靠近反向導通區域一側的部分隔離區域。