[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制造方法和移動電話

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210156211.5
• 申請日: 2012-05-18
• 公開（公告）號: CN102790019A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 北原崇;小熊広志
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/544;H01L21/56;H04M1/02
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

（a）布線板；

（b）安裝于所述布線板之上的半導(dǎo)體芯片；

（c）密封體，形成于所述布線板之上以覆蓋所述半導(dǎo)體芯片；以及

（d）屏蔽膜，形成于所述密封體的表面之上且與形成在所述布線板之上的參考布線線路電耦接以供應(yīng)參考電位，

其中所述密封體的表面形成有產(chǎn)品識別標(biāo)記和剝離防止標(biāo)記，所述產(chǎn)品識別標(biāo)記具有凹陷形狀且用于產(chǎn)品識別，所述剝離防止標(biāo)記具有凹陷形狀且用于防止所述屏蔽膜從所述密封體的表面剝離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，形成所述產(chǎn)品識別標(biāo)記的產(chǎn)品識別標(biāo)記形成區(qū)與形成所述剝離防止標(biāo)記的剝離防止標(biāo)記形成區(qū)是不同區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述剝離防止標(biāo)記形成區(qū)形成為在平面圖中觀察時圍繞所述產(chǎn)品識別標(biāo)記形成區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述產(chǎn)品識別標(biāo)記的深度與所述剝離防止標(biāo)記的深度相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述剝離防止標(biāo)記由多個相同圖案形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述產(chǎn)品識別標(biāo)記由包括文字和數(shù)字的多個序列的識別圖案形成，且

其中，形成所述剝離防止標(biāo)記的所述相同圖案的節(jié)距與形成所述產(chǎn)品識別標(biāo)記的所述識別圖案中的最小節(jié)距相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述產(chǎn)品識別標(biāo)記由包括文字和數(shù)字的多個序列的識別圖案形成，且

其中，形成所述剝離防止標(biāo)記的所述相同圖案的數(shù)量大于形成所述識別圖案的所述文字和數(shù)字的序列的數(shù)量。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述產(chǎn)品識別標(biāo)記由包括文字和數(shù)字的多個序列的識別圖案形成，且

其中，形成所述剝離防止標(biāo)記的所述相同圖案的數(shù)量小于形成所述識別圖案的所述文字和數(shù)字的序列的數(shù)量。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述剝離防止標(biāo)記由每個均是點形式的若干點圖案形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述剝離防止標(biāo)記由每個均是交叉線形式的若干十字圖案形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述屏蔽膜由鍍膜形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述屏蔽膜由銅膜和形成在所述銅膜之上的鎳膜形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述密封體由包含填料的樹脂形成。

14.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

（a）提供其中形成用于供應(yīng)參考電位的參考布線線路的布線板；

（b）在所述步驟（a）之后，將半導(dǎo)體芯片安裝于所述布線板之上；

（c）在所述步驟（b）之后，在所述布線板之上形成密封體以覆蓋所述半導(dǎo)體芯片；

（d）在所述步驟（c）之后，在所述密封體的表面中形成具有凹陷形狀的產(chǎn)品識別標(biāo)記和具有凹陷形狀的剝離防止標(biāo)記；

（e）在所述步驟（d）之后，使用第一刀片切割所述密封體，使所述布線板經(jīng)受不完全劃片以使所述參考布線線路從所述布線板的側(cè)表面暴露；

（f）在所述步驟（e）之后，在所述布線板的暴露的側(cè)表面和所述密封體的表面之上形成屏蔽膜以將所述屏蔽膜電耦接至所述參考布線線路；以及

（g）在所述步驟（f）之后，通過使用比所述第一刀片更薄的第二刀片進行劃片來切割所述布線板。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中，在所述步驟（d）中，所述產(chǎn)品識別標(biāo)記和所述剝離防止標(biāo)記通過用激光照射所述密封體來形成。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中，在所述步驟（f）中，所述屏蔽膜通過使用無電鍍法來形成。