[發明專利]化合物、聚合物、聚合物半導體材料及有機薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210156162.5
• 申請日: 2012-05-18
• 公開（公告）號: CN102675340A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 耿延候;陳亞剛;鄧云峰;田洪坤
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春應用化學研究所
• 主分類號: C07D495/14
• 分類號: C07D495/14;C07F7/22;C07D519/00;C08G61/12;H01L51/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

1.具有式（I）結構的化合物：

其中，R₁為烷基；R₂為H、鹵素或三烷基錫。

2.根據權利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R₁為C₄~C₂₄的烷基。

3.根據權利要求1所述的化合物，其特征在于，所述鹵素為Br或I。

4.根據權利要求1所述的化合物，其特征在于，所述三烷基錫為三丁基錫或三甲基錫。

5.具有式（II）結構的聚合物，

其中，R₁為烷基；

Ar為式（III）、式（IV）、式（V）、式（VI）、式（VII）、式（VIII）、式（IX）、式（X）或式（XI）所示結構中的一種；

n為聚合度，5≤n≤50；

其中，R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂和R₁₃各自獨立地為烷基。

6.根據權利要求5所述的聚合物，其特征在于，所述R₁為C₄~C₂₄的烷基。

7.根據權利要求5所述的聚合物，其特征在于，所述R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂和R₁₃各自獨立地為C₄~C₂₄的烷基。

8.一種權利要求5所述的聚合物的制備方法，包括以下步驟：

在惰性氣體保護下，將具有式（I）結構的化合物與聚合單體在催化劑及輔助配體作用下生成聚合物；

其中，R₁為烷基；R₂為H、鹵素或三烷基錫；

所述聚合單體具有式（XII）、式（XIII）、式（XIV）、式（XV）、式（XVI）、式（XVII）、式（XVIII）、式（XIX）或式（XX）結構：

其中，R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂和R₁₃各自獨立地為烷基。

9.一種由權利要求5~7任意一項所述的聚合物構成的聚合物半導體材料。

10.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，電荷傳輸層為權利要求9所述的聚合物半導體材料。