[發明專利]全透明阻變存儲器及錫酸鋇在做為透明的具有穩定阻變特性材料方面的應用無效
| 申請號： | 201210155959.3 | 申請日： | 2012-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN102709472A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 張婷;馬文海;張偉風;魏凌;孫健 | 申請（專利權）人： | 河南大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛愛周 |
| 地址： | 475004*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透明 存儲器 錫酸鋇 做為 具有 穩定 特性 材料 方面 應用 | ||
【權利要求書】：
1.錫酸鋇在做為透明的具有穩定阻變特性材料方面的應用。
2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：所述的錫酸鋇的光學帶隙為3.4eV，材料層在可見光區透過率接近87％。
3.一種全透明阻變存儲器，其特征在于：包括下電極及下電極表面的阻變存儲層，以及沉積于所述阻變存儲層上的上電極；所述的上電極和下電極為氧化銦錫（ITO）導電薄膜或氟摻雜氧化銦（FTO）透明導電薄膜；所述的阻變存儲層為由錫酸鋇（BaSnO3）薄膜。
4.根據權利要求3所述的全透明阻變存儲器，其特征在于：所述的錫酸鋇BaSnO3薄膜是透明的。
5.根據權利要求3所述的全透明阻變存儲器，其特征在于：所述絕緣襯底和下電極都是透明的，由FTO導電玻璃組成。
6.根據權利要求3所述的全透明阻變存儲器，其特征在于：所述上電極是透明的，且由導電氧化物——氧化銦錫ITO組成。
7.根據權利要求3所述的全透明阻變存儲器，其特征在于：所述上電極厚度為30nm,阻變存儲層厚度為300nm和下電極厚度為350nm導電材料。
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