[發(fā)明專利]從熔點(diǎn)高于600℃的熔融物中采樣的采樣裝置以及采樣方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210155472.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102788715A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋立煥;赫里特·布勒克曼斯;吉多·雅各布斯·奈葉恩斯;德里·拜恩斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 賀利氏電子耐特國際股份公司 |
| 主分類號(hào): | G01N1/10 | 分類號(hào): | G01N1/10 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;盛博 |
| 地址: | 比利時(shí)*** | 國省代碼: | 比利時(shí);BE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熔點(diǎn) 高于 600 熔融 采樣 裝置 以及 方法 | ||
1.從熔點(diǎn)高于600℃的熔融物,特別是金屬或冰晶石熔融物中采樣的采樣裝置,包括:
承載管,其具有浸入端和設(shè)置在所述承載管的浸入端上的樣品室組件,所述樣品室組件具有進(jìn)入口和熔融物的樣品腔,所述樣品室組件至少部分地設(shè)置在所述承載管內(nèi)部,其中所述樣品室組件的設(shè)置在所述承載管內(nèi)部的一部分外表面上具有用于連接承載桿的連接裝置,
其特征在于,所述樣品室組件具有所述樣品腔的內(nèi)壁和外壁,其中所述外壁至少部分地包圍所述內(nèi)壁并與所述內(nèi)壁間隔一定距離,使得在所述外壁與所述內(nèi)壁之間設(shè)置有中空空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采樣裝置,其特征在于,
所述樣品室組件具有直接包圍所述樣品腔并且能夠相互脫離的多個(gè)部分,其中所述多個(gè)部分中的至少一個(gè)部分設(shè)置在所述承載管內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采樣裝置,其特征在于,
所述樣品室組件或者所述樣品室組件的具有所述連接裝置的部分設(shè)置在所述承載管的浸入端上,使得所述樣品室組件或者所述樣品室組件的具有所述連接裝置的部分能夠通過所述承載管的內(nèi)部移動(dòng)到所述承載管的與所述浸入端相反的端部并在那里從所述承載管取出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的采樣裝置,其特征在于,
所述樣品室組件或者所述樣品室組件的具有所述連接裝置的部分具有垂直于所述承載管的縱軸的橫截面,所述橫截面至多與所述承載管的內(nèi)部的垂直于所述承載管的縱軸的橫截面大小相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采樣裝置,其特征在于,
所述樣品室組件具有一起包圍所述樣品腔的第一部分和第二部分,并且所述承載管具有包括所述連接裝置的主體部分和設(shè)置在所述承載管的浸入端并且能夠與所述主體部分脫離的末端部分,其中所述樣品室組件的第一部分固定在所述承載管的主體部分上,所述樣品室組件的第二部分固定在所述承載管的末端部分上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采樣裝置,其特征在于,
所述末端部分通過壓入配合連接或者螺紋連接而與所述主體部分連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的采樣裝置,其特征在于,
所述末端部分通過卡釘或U形釘而與所述主體部分連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的采樣裝置,其特征在于,
所述連接裝置構(gòu)造為咬合式連接、卡口式連接或者螺紋式連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的采樣裝置,其特征在于,
容納在所述樣品腔中的熔融物的質(zhì)量與沒有熔融物的樣品室組件的質(zhì)量之比小于0.8,優(yōu)選至多0.1。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的采樣裝置,其特征在于,
所述連接裝置具有至少一個(gè)氣流通道,所述氣流通道貫穿所述樣品室組件的外壁或者通到所述樣品室組件的外壁。
11.用于根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的采樣裝置的樣品室組件,包括:
樣品腔,其被由多個(gè)部分形成的內(nèi)壁直接包圍;以及
輸入管,其與所述樣品腔連接,用于使金屬熔融物或冰晶石熔融物,特別是鋼熔融物的樣品容納到所述樣品腔中,其中所述輸入管通過進(jìn)入口通入所述樣品腔,
其特征在于,所述樣品的質(zhì)量M與所述內(nèi)壁的材料之間的比例V由以下公式表示:
其中,m為所述內(nèi)壁的質(zhì)量,c為比熱,λ為所述內(nèi)壁的材料的導(dǎo)熱率。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的樣品室組件,其特征在于,
V<0.05。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的樣品室組件,其特征在于,
所述樣品腔的體積與用于通氣的開口的整個(gè)橫截面之比小于500mm,優(yōu)選小于100mm。
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