[發明專利]同步永磁體機器

有效

• 申請號: 201210155305.0
• 申請日: 2012-05-18
• 公開（公告）號: CN102790450B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: J-T.陳;Z-Q.朱
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H02K1/06
• 分類號: H02K1/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 崔幼平;楊炯

1.一種同步永磁體機器，包括：用于產生具有近似正弦的通量密度分布的磁場的永磁體設置，該永磁體設置包括具有基底（11、21、51、71）、頂面（12、22、52、72）和相對側（13a、13b、23a、23b、53a、53b、73a、73b）的永磁體磁極，該頂面（12、22、52、72）包括在所述相對側（13a、13b、23a、23b、53a、53b、73a、73b）之間中間的平坦中心區域（14、24）以及在所述平坦中心區域（14、24）的任一側與所述平坦中心區域（14、24）交會的彎曲側區域（15a、15b、25a、25b、65a、65b、75a、75b），其特征在于在所述彎曲側區域（15a、15b、25a、25b、65a、65b、75a、75b）與所述平坦中心區域（14、24）交會處（16a、16b、26a、26b、66a、66b、76a、76b）所述頂面（12、22、52、72）的斜度是連續的；

其中每個彎曲側區域（15a、15b、65a、65b、75a、75b）包括圓（17a、17b）的一段弧，該圓（17a、17b）的中心（O1、O2）偏離于直線（19、59、79），該直線（19、59、79）以直角與所述基底（11、51、71）和頂面（12、52、72）相交并且位于所述相對側（13a、13b、53a、53b、73a、73b）之間的中間。

2.根據權利要求1所述的同步永磁體機器，其中所述彎曲側區域（15a、15b、65a、65b、75a、75b）包括第一和第二彎曲側區域（15a、15b、65a、65b、75a、75b），所述第一彎曲側區域（15a、65a、75a）包括具有第一中心（O1）和第一半徑（r1）的第一圓（17a）的一段弧，該第一中心（O1）在所述直線（19、59、79）的一側偏離第一距離（d1），該第一距離（d1）等于在所述直線（19、59、79）和所述第一彎曲側區域（15a、65a、75a）與所述平坦中心區域（14、54、74）交會的第一位置（16a、66a、76a）之間的垂直距離，在所述第一中心（O1）和所述第一位置（16a、66a、76a）之間的距離等于所述第一半徑（r1），所述第二彎曲側區域（15b、65b、75b）包括具有第二中心（O2）和等于所述第一半徑（r1）的第二半徑（r2）的第二圓（17b）的一段弧，該第二中心（O2）相對于所述第一中心（O1）在所述直線（19、59、79）的另一側偏離第二距離（d2），該第二距離（d2）等于所述第一距離（d1）并且是在所述直線（19、59、79）和所述第二彎曲側區域（15b、65b、75b）與所述平坦中心區域（14、54、74）交會的第二位置（16b、66b、76b）之間的垂直距離，在所述第二中心（O2）和所述第二位置（16b、66b、76b）之間的距離等于第二半徑（r2）。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的同步永磁體機器，其中所述基底（11）是平坦的。

4.根據權利要求1所述的同步永磁體機器，其中每個彎曲側區域（25a、25b）是正弦形式。