[發明專利]主開關管驅動損耗小的BJT型自激式Zeta變換器有效
| 申請號: | 201210154791.4 | 申請日: | 2012-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN102820780A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發明(設計)人: | 陳怡;王正仕;陳晉音;南余榮 | 申請(專利權)人: | 浙江工業大學 |
| 主分類號: | H02M3/155 | 分類號: | H02M3/155;H05B37/02 |
| 代理公司: | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人: | 王兵;黃美娟 |
| 地址: | 310014 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關 驅動 損耗 bjt zeta 變換器 | ||
技術領域
本發明涉及自激式直流-直流(DC-DC)變換器,應用于開關穩壓或穩流電源、高亮度LED驅動電路等,尤其是一種自激式Zeta變換器。
背景技術
與線性(穩壓或穩流)調節器和他激式DC-DC變換器相比,自激式DC-DC變換器具有性價比高的顯著優點。圖1給出的是一種電路結構簡單、元器件數目少的BJT(雙極型晶體管)型自激式Zeta變換器,包括由輸入電容Ci、PNP型BJT管Q1、二極管D1、電感L1、電容C、二極管D、電感L2和輸出電容Co組成的Zeta變換器的主回路,輸入電容Ci與直流電壓源Vi并聯,輸出電容Co兩端電壓為直流輸出電壓Vo,負載Ro與輸出電容Co并聯,直流電壓源Vi的負端與直流輸出電壓Vo的負端以及二極管D的陽極相連,直流電壓源Vi的正端與PNP型BJT管Q1的發射極相連,PNP型BJT管Q1的集電極與二極管D1的陽極以及電容C的一端相連,二極管D1的陰極與電感L1的一端相連,電感L1的另一端與直流電壓源Vi的負端相連,電容C的另一端與電感L2的一端以及二極管D的陰極相連,電感L2的另一端與輸出電壓Vo的正端相連。圖1所示的BJT型自激式Zeta變換器還包括主開關管Q1的驅動單元,所述主開關管Q1的驅動單元由電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容C1和PNP型BJT管Q2組成,所述PNP型BJT管Q2的發射極和集電極分別與PNP型BJT管Q1的發射極和基極相連,PNP型BJT管Q1的基極還通過電阻R1接于直流電壓源Vi的負端,電阻R3和電容C1組成并聯支路,所述并聯支路的一端與二極管D1的陰極相連,所述并聯支路的另一端與PNP型BJT管Q2的基極以及電阻R2的一端相連,電阻R2的另一端與PNP型BJT管Q2的發射極相連。圖1所示的BJT型自激式Zeta變換器還包括電壓反饋支路,所述電壓反饋支路由電阻R4、電阻R5、穩壓管Z1和NPN型BJT管Q3組成,所述穩壓管Z1的陰極與直流輸出電壓Vo的正端相連,穩壓管Z1的陽極與電阻R5的一端以及NPN型BJT管Q3的基極相連,NPN型BJT管Q3的集電極通過電阻R4與PNP型BJT管Q2的基極相連,NPN型BJT管Q3的發射極和電阻R5的另一端接于直流電壓源Vi的負端。該電路的不足之處在于:由驅動電阻R1、PNP型BJT管Q2、電阻R2、電阻R3和電容C1組成的主開關管Q1的驅動單元,當主開關管Q1關斷時仍有較大電流流過驅動電阻R1,導致Q1的驅動損耗較大,從而影響電路的效率,尤其是電路的輕載效率。
發明內容
為克服現有的BJT型自激式Zeta變換器主開關管驅動損耗較大的不足,本發明提供一種主開關管驅動損耗小的BJT型自激式Zeta變換器。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種主開關管驅動損耗小的BJT型自激式Zeta變換器包括由輸入電容Ci、PNP型BJT管Q1、電感L1、電容C、二極管D、二極管D1、電感L2和電容Co組成的Zeta變換器的主回路,輸入電容Ci與直流電壓源Vi并聯,輸出電容Co兩端電壓為直流輸出電壓Vo,負載Ro與輸出電容Co并聯,直流電壓源Vi的正端與PNP型BJT管Q1的發射極相連,PNP型BJT管Q1的集電極與電感L1的一端以及電容C的一端相連,電感L1的另一端與直流電壓源Vi的負端、輸出電壓Vo的負端以及二極管D的陽極相連,電容C的另一端與二極管D的陰極以及二極管D1的陽極相連,二極管D1的陰極與電感L2的一端相連,電感L2的另一端與輸出電壓Vo的正端相連;
所述主開關管驅動損耗小的BJT型自激式zeta變換器還包括主開關管Q1的驅動單元,所述主開關管Q1的驅動單元由電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q3組成,所述NPN型BJT管Q2的集電極與電阻R1的一端相連,電阻R1的另一端與PNP型BJT管Q1的基極相連,NPN型BJT管Q2的發射極與電阻R2的一端相連,電阻R2的另一端與直流電壓源Vi的負端相連,NPN型BJT管Q2的基極與電阻R3的一端以及PNP型BJT管Q3的發射極相連,電阻R3的另一端與PNP型BJT管Q1的發射極相連,PNP型BJT管Q3的基極與PNP型BJT管Q3的集電極以及電阻R4的一端相連,電阻R4的另一端與PNP型BJT管Q1的集電極相連。為提高電路的動態性能,可在PNP型BJT管Q1的集電極和NPN型BJT管Q2的基極之間并聯電容C1。此外,PNP型BJT管Q3的集電極可改接于直流電壓源Vi的負端,電阻R2可短路。
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