[發明專利]不銹鋼合金電阻材料

有效

• 申請號: 201210154634.3
• 申請日: 2012-05-18
• 公開（公告）號: CN102899577A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 朱劍華
• 申請（專利權）人: 蘇州市龍源電力工程有限公司
• 主分類號: C22C38/40
• 分類號: C22C38/40;C22C38/50;H01C3/00
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強

技術領域

本發明涉及電力電網系統領域，尤其涉及一種用于配電系統中性點接地電阻器的不銹鋼合金電阻材料。?

背景技術

電阻器是電子電路中應用數量最多的元件，通常按功率和阻值形成不同系列，供電路設計者選用。電阻器在電路中主要用來調節和穩定電流與電壓，可作為分流器和分壓器，也可作電路匹配負載。?

配電系統中性點接地電阻器接地的方式在歐美、東亞及南亞等國家已經被廣泛的采用。在我國以電纜線路為主的城市配電系統、發電系統，如北京、天津、長三角、珠三角地區等大中型城市的配電網系統，普遍采用了中性點接地電阻器接地方式。現有的中性點接地電阻器其電阻材料通常采用的不同成分組成的不銹鋼合金，都具有強度高、韌性好、抗氧化性好和阻值穩定的優點，在整個中性點接地電阻器的工作運行過程中不同成分的不銹鋼合金電阻材料呈現出的效果不一樣。而現在對其中性點接地電阻器的電阻材料提出更高的要求，在保證強度高、韌性好、抗氧化性好和阻值穩定的同時，電阻率高和電阻溫度系數低顯得尤為重要，在環境溫度變化的情況下，更好的穩定電流與電壓，而現有的不銹鋼合金電阻材料并不能滿足這樣的要求。?

發明內容

本發明要解決的技術問題是針對現有技術中存在的缺陷，提供了一種電阻率高和電阻溫度系數低的不銹鋼合金電阻材料。?

為了克服背景技術中存在的缺陷，本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種不銹鋼合金電阻材料，包括化學成分滿足C?0～0.05％，P?0～0.025％，S?0～0.020％，Mn?0～0.05％，Si?0～0.05％，Cr?17.0％～19.0％，Ni?0.20％～0.60％，Al?1.5％～2.2％，Ti?0～0.50％，余量為Fe（均為質量百分比）。?

在本發明的一較佳實施例中，所述Al的含量為1.7％～1.8％。?

在本發明的一較佳實施例中，所述不銹鋼合金電阻材料熱鍛成板材結構，表面經噴砂處理。?

本發明解決了背景技術中存在的缺陷，使用最佳成分配比，尤其是鋁的含量為1.7％～1.8％的情況下，在熱處理條件下和冷處理后具有好的組織穩定性，提高了不銹鋼合金電阻材料的電阻率和降低了電阻溫度系數，更好的穩定電流和電壓。?

具體實施方式

本實施例中介紹的一種用于配電系統中性點接地電阻器的不銹鋼合金電阻材料，包括化學成分滿足C?0～0.05％，P?0～0.025％，S?0～0.020％，Mn?0～0.05％，Si?0～0.05％，Cr?17.0％～19.0％，Ni?0.20％～0.60％，Al?1.5％～2.2％，Ti?0～0.50％，余量為Fe（均為質量百分比），其中Al的最佳含量為1.7％～1.8％。不銹鋼合金電阻材料熱鍛成板材結構，邊長為240?mm，厚度為3.5?mm的正方形板材，表面經噴砂處理，檢測電阻率ρ≧0.8μΩ·m。?

實施例1，根據設計的成分配方：C?0.01％，P?0.02％，S?0.01％，Mn?0.03％，Si?0.02％，Cr?17％，Ni?0.3％，Al?1.5％，Ti?0.20％，余量為Fe（均為質量百分比）。經熔煉、油淬和空冷，制成邊長為240?mm，厚度為3.5?mm的正方形板材，檢測電阻率ρ為0.81μΩ·m。?

實施例2，根據設計的成分配方：C?0.03％，P?0.02％，S?0.02％，Mn?0.02％，Si?0.03％，Cr?19％，Ni?0.5％，Al?1.8％，Ti?0.30％，余量為Fe（均為質量百分比）。經熔煉、油淬和空冷，制成邊長為240?mm，厚度為3.5?mm的正方形板材，檢測電阻率ρ為0.83μΩ·m。?

實施例3，根據設計的成分配方：C?0.03％，P?0.02％，S?0.01％，Mn?0.04％，Si?0.05％，Cr?19％，Ni?0.5％，Al?1.7％，Ti?0.50％，余量為Fe（均為質量百分比）。經熔煉、油淬和空冷，制成邊長為240?mm，厚度為3.5?mm的正方形板材，檢測電阻率ρ為0.085μΩ·m。?

實施例4，根據設計的成分配方：C?0.04％，P?0.01％，S?0.02％，Mn?0.04％，Si?0.03％，Cr?17％，Ni?0.6％，Al?1.7％，Ti?0.20％，余量為Fe（均為質量百分比）。經熔煉、油淬和空冷，制成邊長為240?mm，厚度為3.5?mm的正方形板材，檢測電阻率ρ為1.02μΩ·m。?