[發明專利]一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導體量子點在指紋顯現中的應用

無效

• 申請號: 201210154555.2
• 申請日: 2012-05-18
• 公開（公告）號: CN102703057A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 靳玉娟;段曉博;唐曉旭;耶律媛含
• 申請（專利權）人: 北京工商大學
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/56;C09K11/88;A61B5/117
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1.一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導體量子點在指紋顯現中的應用，采用PAMAM樹形分子包覆ZnX半導體量子點，X為S、Se或Te中的一種，PAMAM樹形分子端基類型為胺基、酯基、羥基或羧基，代數為3.0～7.0；其特征在于具體步驟為：

1)合成PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導體量子點溶液；

i)向濃度為1×10^-5mol·L^-1～1×10^-4mol·L^-1、pH為5.0～9.0的PAMAM樹形分子溶液中加入濃度為0.01mol·L^-1～0.1mol·L^-1的Zn²⁺離子溶液，使Zn²⁺離子與PAMAM樹形分子的摩爾數比為0.5∶1～40∶1，在5℃～45℃的條件下絡合3～48h，直至Zn²⁺離子與PAMAM樹形分子配位平衡，得到Zn²⁺離子與PAMAM樹形分子的絡合溶液；

所述的PAMAM樹形分子溶液所使用的溶劑為甲醇、水、甲醇與水的混合物或二甲基亞砜中的一種；所述的Zn²⁺離子來自于氯化鋅溶液、乙酸鋅溶液或硝酸鋅溶液中的一種；

ii)制備X^2-源

iii)向步驟i)得到的絡合溶液中，加入步驟ii)制備的X^2-源溶液，其中，加入的X^2-源的摩爾數與Zn²⁺離子的摩爾數相同；X^2-為S^2-、Se^2-或Te^2-離子中的一種；在5℃～45℃下攪拌反應5min～60min，用截留分子量為2000～5000的透析袋進行滲析，得到澄清的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導體量子點溶液；

2)PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導體量子點溶液對潛指紋的熒光標記；

將載有潛指紋的基底直接浸泡在PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導體量子點溶液中1min～12h，然后將基底取出，用去離子水沖洗，自然涼干，得到載有待顯現潛指紋的基底，并將其置于暗室中，在300nm～400nm范圍內紫外光激發下拍照，得到熒光指紋照片。

2.根據權利要求1所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導體量子點在指紋顯現中的應用，其特征在于：步驟ii)中X^2-源為S^2-源，直接采用硫化鈉溶液、硫化鉀溶液或硫化氫溶液。

3.根據權利要求1所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導體量子點在指紋顯現中的應用，其特征在于：步驟ii)中X^2-源為Se^2-源，制備方法為：將硒粉和硼氫化鈉以摩爾比為1∶1～1∶8置于去離子水中，攪拌，在0℃～40℃下反應生成濃度為0.002mol·L^-1～0.2mol·L^-1的硒氫化鈉溶液。

4.根據權利要求1所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導體量子點在指紋顯現中的應用，其特征在于：步驟ii)中X^2-源為Te^2-源，制備方法為：將碲粉和硼氫化鈉以摩爾比為1∶1～1∶8置于去離子水中，攪拌，在0℃～40℃下反應生成濃度為0.002mol·L^-1～0.2mol·L^-1的碲氫化鈉溶液。

5.根據權利要求1所述的一種聚酰胺-胺樹形分子包覆的ZnX半導體量子點在指紋顯現中的應用，其特征在于：對步驟1)中合成的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導體量子點溶液進一步修飾，具體步驟為：

在5℃～45℃下，將M²⁺離子溶液加入到步驟1)得到的PAMAM樹形分子包覆的ZnX半導體量子點溶液中，對ZnX半導體量子點進行修飾摻雜，使M²⁺離子與ZnX半導體量子點的摩爾數比為1∶1～8∶1，攪拌10min，得到PAMAM樹形分子包覆的ZnXM²⁺量子點；

M²⁺為Mn²⁺、Co²⁺、Zn²⁺或Cu²⁺中的一種；ZnXM²⁺為M²⁺離子吸附在ZnX半導體量子點表面。