[發(fā)明專利]壓電電場驅(qū)動藥物離子導入的系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210154193.7
• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN103418080A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王中林;徐傳毅;朱光;范鳳茹
• 申請（專利權(quán)）人: 納米新能源（唐山）有限責任公司
• 主分類號: A61N1/30
• 分類號: A61N1/30;H02N2/18
• 代理公司: 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 11276
• 代理人: 雒純丹

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種藥物離子導入裝置，尤其是涉及一種利用壓電電場促進藥物離子導入到人體皮膚的系統(tǒng)。?

背景技術(shù)

隨著現(xiàn)代生活水平不斷提高，生活節(jié)奏不斷加快，便攜式的個人健康護理裝置可以滿足人們對個人健康的追求，將成為人們未來生活中不可或缺的一部分。具有微米甚至納米尺度特殊功能和效應的傳感器、醫(yī)用護理裝置等多功能智能裝置將為人類提供前所未有的健康生活保障，而簡單、高效、便攜式的功能特性將有助于這些裝置的商業(yè)普及和日常應用。電刺激藥物導入方法在美容保健和部分疾病的治療方面已廣泛應用。直流電場離子導入療法是利用正負電極在人體外形成一個直流電場，在直流電場中加入帶陰陽離子的藥物。根據(jù)直流電場內(nèi)同性電荷相斥，異性電荷相吸的原理，將藥物離子導入體內(nèi)。將所需導入的藥物離子放在極性與該離子極性相同的電極下，即將帶正電荷的藥物離子放在陽極下，帶負電荷的離子放在陰極下，藥物離子在直流電場的作用下，可通過完整皮膚黏膜和傷口進入人體內(nèi)，從而達到美容保健以及治療疾病等目的。?

直流電場藥物離子導入的方法有以下特點，導入的藥物只有需要發(fā)揮藥理作用的那一部分，不是混合劑。而采用皮下或皮內(nèi)注射方法就要注入大量沒有治療價值的溶液和基質(zhì)。藥物離子導入還可以將藥物直接導入需要治療的部位，特別是對表層的病灶，對于較深層的組織也可以用體內(nèi)導入法。直流電導入的藥物在體內(nèi)停留時間比其他給藥方法停留時間長，藥物導入法所形成的藥物儲存庫，能逐漸消散而進入血液和淋巴液，這樣產(chǎn)生時間的全身性作用。直流電藥物導入時，直流電和藥物離子作用于內(nèi)、外感受器，然后?通過反射途徑而產(chǎn)生局部和全身的治療作用。該方法還能避免藥物內(nèi)服或注射等方法的副作用如胃腸刺激癥狀，注射后吸收不良等。?

然而，傳統(tǒng)的電場藥物離子導入方法都需要價格高昂的專用儀器和設(shè)備，需要專業(yè)的醫(yī)用技術(shù)人員進行操作。這些都有可能導致其在安全、便攜性、適用性和維護方面等方面存在問題，限制了其在日常生活方面的應用。如何尋找一種簡單實用、安全高效的藥物導入方法將對該領(lǐng)域的發(fā)展產(chǎn)生極其重要的影響。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題提供了一種簡單實用、安全高效的藥物離子導入系統(tǒng)。?

本發(fā)明提供了一種壓電電場驅(qū)動藥物離子導入的系統(tǒng)，包括納米發(fā)電機、整流器、藥物離子載體和電場電極；所述納米發(fā)電機與整流器連接；所述整流器包括兩個直流電輸出端，其中一個直流電輸出端與電場電極連接，另一個直流電輸出端用于與藥物受體連接，以在電場電極與藥物受體之間形成直流電場；所述藥物離子載體設(shè)置于直流電場中；所述納米發(fā)電機為薄膜型，且隔著絕緣隔離層與電場電極平行設(shè)置。?

所述藥物受體是導電性的，例如人體皮膚、動物體皮膚等。?

本發(fā)明納米發(fā)電機是薄膜型的，即基底、第一電極、氧化鋅納米線陣列、高分子絕緣層和第二電極均為厚度較小的薄層。本發(fā)明納米發(fā)電機的厚度為0.5cm-10cm。?

優(yōu)選的，所述納米發(fā)電機，包括基底、第一電極、氧化鋅納米線陣列、高分子絕緣層和第二電極，所述第一電極設(shè)置于基底上，所述氧化鋅納米線陣列垂直生長在第一電極層上，所述氧化鋅納米線陣列層上涂覆有所述高分子絕緣層，所述高分子絕緣層將所述氧化鋅納米線陣列包覆，第二電極設(shè)置于高分子絕緣層上；所述第一電極與第二電極為納米發(fā)電機的電壓和電流輸出極，分別連接整流器。?

優(yōu)選的，本發(fā)明采用的納米發(fā)電機第一電極可以直接涂覆或鍍于絕緣隔離層，可以省去一層基底，節(jié)約材料和工序，降低成本而并不影響性能。即?所述納米發(fā)電機，包括第一電極、氧化鋅納米線陣列、高分子絕緣層和第二電極，所述第一電極設(shè)置于絕緣隔離層上，所述氧化鋅納米線陣列垂直生長在第一電極層上，所述氧化鋅納米線陣列層上涂覆有所述高分子絕緣層，所述高分子絕緣層將所述氧化鋅納米線陣列覆蓋，第二電極設(shè)置于高分子絕緣層上；所述第一電極與第二電極為納米發(fā)電機的電壓和電流輸出極，分別連接整流器。?

所述納米發(fā)電機優(yōu)選為，所述氧化鋅納米線陣列在第一電極上分隔為多個相互之間存在間隙的區(qū)域，且間隙間形成高分子填充部分。所述氧化鋅納米線陣列分別生長在多個區(qū)域內(nèi)，區(qū)域與區(qū)域之間存在間隙，所述高分子絕緣層涂覆于氧化鋅納米線陣列上，并填充區(qū)域間隙將氧化鋅納米線陣列分割、包覆。?