[發明專利]濕法腐蝕NiCrSi膜的方法

有效

• 申請號: 201210153851.0
• 申請日: 2012-05-17
• 公開（公告）號: CN102664148A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 王大平;梁濤;周世遠;張正元;曹陽
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，包括以下幾個步驟：

1）制備帶NiCrSi膜腐蝕窗口的硅片；

2）配制腐蝕液；

3)對所述腐蝕窗口上的NiCrSi膜進行腐蝕；

4)對腐蝕后的硅片進行正反面的水槍近距離沖水處理，再在常規沖水槽中進行遠距離沖水處理；

5)對腐蝕后的硅片用發煙硝酸進行清洗處理。

2.根據權利要求1所述的濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述制備NiCrSi膜腐蝕窗口的硅片的步驟為：

1)通過常規半導體金屬化前的工藝，在單晶硅拋光片上形成常規金屬化前的產品結構；

2）采用常規金屬化工藝，淀積一層NiCrSi膜，厚度為20nm-30nm；

3）進行常規光刻工藝，涂膠，曝光，顯影，形成光刻膠作掩蔽層，沒有光刻膠的NiCrSi膜作腐蝕窗口的硅片。

3.根據權利要求1所述的濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述腐蝕液的配制步驟為：

1）結晶硫酸高鈰25g倒入玻璃瓶中，并向所述玻璃瓶中倒入250ml去離子水；

2）腐蝕槽中裝占腐蝕槽體積2/3的水，加熱；

3）玻璃瓶放入所述腐蝕槽中，不斷用玻璃棒攪拌，直至形成桔黃色的結晶硫酸高鈰飽和溶液；

4）再將25ml硝酸加入玻璃瓶中，不斷用玻璃棒攪拌，直至形成橙紅色的溶液；

5）從腐蝕槽中取出玻璃瓶，常溫靜置、冷卻5分鐘以上，形成透明的腐蝕液。

4.根據權利要求1所述的濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述對所述腐蝕窗口上的NiCrSi膜進行腐蝕的步驟為：

1）腐蝕槽中裝占腐蝕槽體積2/3的水；

2）在腐蝕槽中放置帶固定支架的培養皿，并將帶固定手柄和支架的工夾具放入培養皿中，向培養皿中加入占培養皿體積1/2的所述腐蝕液；

3）開啟腐蝕槽的溫度加熱器；當溫度穩定在50度后，將所述帶NiCrSi膜腐蝕窗口的硅片放在所述工夾具的支架上；

4）人工上下抖動所述工夾具的手柄，腐蝕到由NiCrSi的顏色完全呈現氧化層的顏色后，再靜置5～10秒后，提起所述工夾具的手柄，使所述帶腐蝕窗口的硅片露出培養皿中的液面，再用鑷子夾出所述帶腐蝕窗口的硅片。

5.根據權利要求4所述的濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述培養皿的支架高度15cm，所述培養皿的長、寬、高為12×12×3cm。

6.根據權利要求4所述的濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述工夾具的長、寬、高為11×11×0.5cm，工夾具的手柄位于工夾具任意一角，手柄的長、寬為8×1.5cm，工夾具的支架的一端位于工夾具任意三邊的中心位置，工夾具的另一端距所述中心位置的距離為2.5cm。

7.根據權利要求1所述的濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述對腐蝕后的硅片進行正反面的水槍近距離沖水處理，再在常規沖水槽中進行遠距離沖水處理的步驟為:

1）右手拿鑷子夾住硅片，左手及時拿與常規沖水槽壓力相當的水槍近距離沖洗硅片正反面各5次；

2）再將所述硅片放入四氟花藍中，并放入清洗腐蝕系統中的沖水槽進行常規的沖水處理。

8.根據權利要求1所述的濕法腐蝕NiCrSi膜的方法，其特征在于：所述對腐蝕后的硅片用發煙硝酸進行清洗處理的步驟為：

1）將腐蝕后的硅片置于石英花籃中，石英花籃置于石英杯中，發煙硝酸倒入石英杯中并淹沒硅片，室溫靜止10分鐘；

2）石英花籃取出，放入另一干凈且裝滿水的石英杯中，將石英花籃取出，把石英杯中的水倒掉，再將石英花籃放入石英杯中，重新裝滿水，如此循環10次；

3）用鑷子將所述硅片夾入四氟花籃中，放入清洗腐蝕系統中的沖水槽進行沖水甩干處理。