[發明專利]層疊型太陽能電池結構無效
| 申請號: | 201210153729.3 | 申請日: | 2012-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN103390622A | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發明(設計)人: | 黃添榮;簡瑞耀 | 申請(專利權)人: | 冠晶光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣臺中市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層疊 太陽能電池 結構 | ||
1.一種層疊型太陽能電池結構,其特征在于,其包含:
一基板;
一底層太陽能電池組,設置于該基板上,其包含:
多個太陽能電池單元,其中該多個太陽能電池單元彼此互相串聯,并且該多個太陽能電池單元具有較低能隙值;
一導電介面層,設置于該底層太陽能電池組上;以及
一頂層太陽能電池,設置于該導電介面層上,其中該頂層太陽能電池僅與該底層太陽能電池組其中的一太陽能電池單元串聯,并且該頂層太陽能電池具有相對于該多個太陽能電池單元較高的能隙值。
2.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該底層太陽能電池組為該頂層太陽能電池所覆蓋。
3.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該基板為一透明基板。
4.根據權利要求3所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該透明基板材質為玻璃。
5.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該基板材質為金屬。
6.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該基板材質為有機材料。
7.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該基板為可撓式基板。
8.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,形成該底層太陽能電池組的太陽能電池單元方法可為激光切割。
9.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,形成該底層太陽能電池組的太陽能電池單元方法可為化學蝕刻。
10.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,形成該底層太陽能電池組的太陽能電池單元方法可為反應式離子蝕刻。
11.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該底層太陽能電池組的太陽能電池單元由III-V族化合物半導體材料制成。
12.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該底層太陽能電池組的太陽能電池單元由II-VI族化合物半導體材料制成。
13.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該底層太陽能電池組的太陽能電池單元由有機半導體材料制成。
14.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該底層太陽能電池組的太陽能電池單元由納米材料制成。
15.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該底層太陽能電池組的太陽能電池單元由銅銦鎵硒酸鹽材料制成。
16.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該底層太陽能電池組的太陽能電池單元由碲化鎘材料制成。
17.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該導電介面層由導電透明氧化物材料制成。
18.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該導電介面層由薄而可透光的金屬材料制成。
19.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該導電介面層為一穿隧接面層。
20.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該頂層太陽能電池由以非晶硅為基材的化合物材料制成。
21.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該頂層太陽能電池由以銅鎵硒為基材的化合物材料制成。
22.根據權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其特征在于,該頂層太陽能電池由非晶硅/微晶硅多接面結構制成。
23.一種層疊型太陽能電池制造方法,其特征在于,應用于權利要求1所述的層疊型太陽能電池結構,其包含:
形成一太陽能電池晶胞;
將該太陽能電池晶胞分割形成多個太陽能電池單元,其中該多個太陽能電池單元彼此間具有一間隙;
將該多個太陽能電池單元間互相串聯形成一底層太陽能電池組;以及
形成一頂層太陽能電池,該頂層太陽能電池與該底層太陽能電池組其中的一太陽能電池單元串聯。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





