[發明專利]光致抗蝕劑組合物和形成光刻圖案的方法

有效

• 申請號: 201210153151.1
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102681348A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: Y·C·裴;樸鐘根;李承泫;劉沂;T·卡多拉西亞;R·貝爾
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: G03F7/038
• 分類號: G03F7/038;G03F7/00;G03F7/09
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒

1.光致抗蝕劑組合物，所述組合物包括：

包括以下通式(I)、(II)和(III)單元的第一聚合物：

其中：R₁表示C₁-C₃的烷基；R₂表示C₁-C₃的亞烷基；m表示0或1；和L₁表示內酯基團；

包括以下通式(IV)和(V)單元的第二聚合物：

其中：R₃表示C₁-C₃的烷基；L₂表示內酯基團；和n是0或1；和

光酸產生劑。

2.權利要求1的光致抗蝕劑組合物，其中所述第一聚合物進一步包括通式(I)的第二單元，其中在通式(I)的第一和第二單元中的R₁是不同的。

3.權利要求2的光致抗蝕劑組合物，其中所述第一聚合物通過以下通式表示：

其中：0.3＜a＜0.7；0.1＜b＜0.4；0.1＜c＜0.4，和0.1＜d＜0.3。

4.權利要求1-3任一項的光致抗蝕劑組合物，其中所述第二聚合物通過以下通式表示：

其中：0.4＜e＜0.6；和0.4＜f＜0.6。

5.權利要求1-3任一項光致抗蝕劑組合物，其中所述第二聚合物進一步包括通過以下結構表示的第三單體：

6.權利要求5的光致抗蝕劑組合物，其中所述第二聚合物是通過以下通式表示：

其中：0.3＜e＜0.7；0.3＜f＜0.6；和0.1＜g＜0.3。

7.權利要求1-6任一項的光致抗蝕劑組合物，其中L₁和L₂獨立地選自以下內酯基團：

8.權利要求1-7任一項的光致抗蝕劑組合物，進一步包括第三聚合物，其中所述第三聚合物是聚(甲基丙烯酸C₃-C₇烷基酯)。

9.涂覆的基板，所述涂覆的基板包括基板和在基板表面上的權利要求1-8任一項光致抗蝕劑組合物的層。

10.形成光刻圖案的方法，所述方法包括：

(a)提供一種基板，其包括在所述基板表面上待形成圖案的一層或多層；

(b)將一層權利要求1-8任一項的光致抗蝕劑組合物施加到待形成圖案的一層或多層上；

(c)將光致抗蝕劑組合物層于光化輻射進行圖案化曝光；

(d)在后曝光烘焙工藝中加熱所述曝光的光致抗蝕劑組合物層；和

(e)將顯影劑施加到所述光致抗蝕劑組合物層以去除部分光致抗蝕劑層，因此形成光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑層的未曝光區域通過顯影劑移除以形成光致抗蝕劑圖案。

11.權利要求10的方法，其中所述顯影劑包括2-庚酮。

12.權利要求10的方法，其中所述顯影劑包括乙酸正丁酯。