[發明專利]嵌入式外延外基區雙極晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 201210153063.1
• 申請日: 2012-05-16
• 公開（公告）號: CN102664190A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 王玉東;付軍;崔杰;趙悅;劉志弘;張偉;李高慶;吳正立;許平
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/732;H01L21/331
• 代理公司: 北京中偉智信專利商標代理事務所 11325
• 代理人: 張岱

1.一種嵌入式外延外基區雙極晶體管，至少包括集電區、所述集電區上的基區和外基區、基區上的發射極、以及在所述發射極兩側的側墻，其特征在于，所述外基區采用原位摻雜選擇性外延工藝生長而成，而且嵌入在所述集電區內。

2.根據權利要求1所述的嵌入式外延外基區雙極晶體管，其特征在于，所述外基區的一部分位于所述側墻的下方。

3.根據權利要求1所述的嵌入式外延外基區雙極晶體管，其特征在于，所述外基區在所述基區上產生應力。

4.一種嵌入式外延外基區雙極晶體管的制備方法，其特征在于，所述方法的至少包括下述步驟：

4.1制備第一摻雜類型的集電區；

4.2在所得結構上制備第二摻雜類型的基區；

4.3在所得結構上依次淀積第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層；

4.4在第二氧化硅層和氮化硅層上開設窗口；

4.5去除窗口中的第一氧化硅層，暴露基區，形成發射極窗口；

4.6在所得結構上淀積多晶層；

4.7對所得結構進行平坦化加工，暴露第二氧化硅層；

4.8去除第二氧化硅層和未被多晶層覆蓋的氮化硅層；

4.9在多晶層的側面制備第一側墻，去除未被第一側墻覆蓋的第一氧化硅層；

4.10刻蝕未被覆蓋的基區部分，刻蝕厚度大于基區的厚度；

4.11在基區被刻蝕所得的結構上制備第二摻雜類型的外基區；

4.12淀積介質層，在第一側墻的外側形成第二側墻；

4.13在所得結構上淀積金屬層，在外基區形成金屬硅化物，在多晶層上形成形成金屬硅化物；

4.14在所得結構上制備接觸孔，引出發射極電極和基區電極。

5.根據權利要求4所述的嵌入式外延外基區雙極晶體管的制備方法，其特征在于，步驟4.2中制備基區的材質是硅或者是鍺硅。

6.根據權利要求4所述的嵌入式外延外基區雙極晶體管的制備方法，其特征在于，步驟4.10中刻蝕基區時向側墻下方進行鉆蝕。

7.根據權利要求4所述的嵌入式外延外基區雙極晶體管的制備方法，其特征在于，步驟4.11中的外基區使用外延生長方法制備，外基區的材質是硅，或者是鍺硅，或者是摻碳鍺硅；雜質的摻雜濃度在1E19～1E21cm^-3。

8.根據權利要求4所述的嵌入式外延外基區雙極晶體管的制備方法，其特征在于，步驟4.13中淀積的金屬是鈦、鈷或鎳中的一種。