[發明專利]磁阻屏蔽體

有效

• 申請號: 201210152859.5
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102810318B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: E·W·辛格爾頓;李宰榮;高凱中;D·V·季米特洛夫;宋電;V·A·維斯科
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 毛力

1.一種磁性元件，包括磁性響應性疊層，所述疊層可以由至少一個橫向側屏蔽體屏蔽免受磁通量，所述至少一個橫向側屏蔽體包括位于第一和第二鐵磁層之間的過渡金屬層。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述側屏蔽體的特征在于合成反鐵磁性(SAF)結構，所述結構具有釘扎的磁化效應，所述第二鐵磁層沒有設置的磁化效應并對外部磁場敏感。

3.如權利要求2所述的設備，其特征在于，所述第一鐵磁層被接觸相鄰的反鐵磁層所釘扎。

4.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述過渡金屬層是釕Ru。

5.如權利要求1所述的設備，其特征在于，第一鐵磁層是鎳鐵NiFe，第二鐵磁層是鎳鈷鐵NiCoFe。

6.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述至少一個橫向側屏蔽體同時將所述疊層偏磁到預先確定的默認磁化效應。

7.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述磁性疊層具有位于第三和第四鐵磁自由層之間的非磁性間隔層，所述第三和第四鐵磁自由層被所述側屏蔽體設置為默認磁化效應。

8.如權利要求7所述的設備，其特征在于，所述第三和第四鐵磁層的所述默認磁化效應具有基本上正交的關系。

9.如權利要求7所述的設備，其特征在于，所述側屏蔽體的每一層都與所述磁性疊層的各層校準。

10.如權利要求7所述的設備，其特征在于，所述側屏蔽體的每一層都與所述磁性疊層的各層偏移對準。

11.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述側屏蔽體與所述磁性疊層被非磁性絕緣層所分離開。

12.一種方法，包括：利用位于第一和第二鐵磁層之間的過渡金屬層來配置至少一個橫向側屏蔽體，以屏蔽磁性響應性疊層免受磁通量，并將所述疊層偏磁到預先確定的默認磁化效應。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述過渡金屬層具有預先確定的厚度，所述預先確定的厚度對應于預先確定的交換耦合能量，所述預先確定的交換耦合能量提供貫穿所述至少一個橫向側屏蔽體的連續反鐵磁耦合。

14.一種磁性元件，包括：

磁性響應性疊層，包括被非磁性間隔層所分隔的第一和第二鐵磁自由層；以及

至少一個側屏蔽體，包括位于第三和第四鐵磁自由層之間的過渡金屬層，并與所述疊層橫向地相鄰，以屏蔽所述疊層免受磁通量，并將所述第一和第二自由層偏磁到預先確定的默認磁化效應。

15.如權利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述第三自由層、第四自由層、以及過渡金屬層中每一層都連續地沿著所述磁性元件的全部寬度并沿著所述疊層的側壁的大部分而延伸。

16.如權利要求15所述的磁性元件，其特征在于，至少所述第四自由層直接接觸所述疊層的頂表面。

17.如權利要求15所述的磁性元件，其特征在于，由絕緣層將所述第四自由層與所述疊層隔開，所述絕緣層直接接觸所述疊層的所述側壁。

18.如權利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述過渡金屬層是絕緣材料。

19.如權利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述過渡金屬層是利用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)耦合而耦合到所述第三和第四鐵磁層的過渡金屬。

20.如權利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述金屬材料層是無需Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)耦合而耦合到所述第三和第四鐵磁層的金屬材料。