[發明專利]PVDF-g-PVP接枝共聚物的制備方法及所得的接枝共聚物有效
| 申請號： | 201210151999.0 | 申請日： | 2012-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN102675546A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 侯錚遲;秦強 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海應用物理研究所 |
| 主分類號： | C08F259/08 | 分類號： | C08F259/08;C08F2/46 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 鐘華;徐穎 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | pvdf pvp 接枝 共聚物 制備 方法 所得 | ||
【權利要求書】：
1.一種PVDF-g-PVP接枝共聚物的制備方法，其包含下述步驟：在無氧條件下，在包含N-乙烯基吡咯烷酮單體和聚偏氟乙烯的均相溶液中，進行N-乙烯基吡咯烷酮單體與聚偏氟乙烯的共輻射接枝反應，即得；所述均相溶液的溶劑為N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一種或多種。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的聚偏氟乙烯的重均分子量為500000～600000。
3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的聚偏氟乙烯為蘇威化學公司生產的型號為6020的聚偏氟乙烯。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的聚偏氟乙烯與N-乙烯基吡咯烷酮單體的重量比為10∶1-10∶9。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的N-乙烯基吡咯烷酮單體在所述均相溶液中的濃度為1-9wt％。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的共輻射接枝的輻射源為γ射線輻射源，較佳地為60Co。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的共輻射的輻射總劑量為5-38kGy；所述的共輻射的平均劑量率為0.65-5.00kGy/h。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的共輻射接枝的反應溫度為20-30℃。
9.一種由權利要求1～8中任一項所述的方法制得的PVDF-g-PVP接枝共聚物。
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