[發明專利]一種超薄配位聚合物薄膜及其制備方法和應用

無效

• 申請號: 201210151631.4
• 申請日: 2012-05-16
• 公開（公告）號: CN102709474A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 徐偉;王鵬飛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種超薄配位聚合物薄膜的制備方法，其特征在于具體步驟如下：

（1）在平整的基板上通過真空熱蒸發方法沉積厚度為150-300納米的銅膜；

（2）在室溫下、大氣環境中放置2~3天，讓銅膜表面自然氧化；

（3）?再將銅膜樣品浸入到濃度為0.2~5毫摩爾/升的N2S3的乙醚溶液中，浸泡10~30小時；

（4）從溶液中取出樣品，用乙醚充分洗滌，干燥，即在銅膜表面上形成Cu-N2S3配位聚合物薄膜。

2.?由權利要求1所述制備方法制備的超薄配位聚合物薄膜，厚度小于15納米，表面平整。

3.?一種如權利要求2所述的超薄配位聚合物薄膜的應用，其特征在于將所述超薄配位聚合物薄膜夾在銅底電極和鋁頂電極之間，構成銅/超薄配位聚合物薄膜/鋁電存儲器件，該電存儲器件作為一次寫入多次讀取器件使用。